[发明专利]半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，包括：

S1：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成伪栅极结构，伪栅极结构包括形成于半导体衬底上的多晶硅栅；

S2：形成伪栅极结构的第一侧墙，第一侧墙覆盖伪栅极结构的顶部和两侧，并覆盖伪栅极结构之间的半导体衬底；

S3：进行离子注入工艺；

S4：形成伪栅极结构的第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙，位于伪栅极结构两侧的第二侧墙之间的区域为用于形成源极或漏极的区域；

S5：将源极或漏极的形成区域打开，然后进行衬底刻蚀工艺以形成用于形成嵌入式外延层的凹槽；以及

S6：在凹槽中填充嵌入式外延层，并在嵌入式外延层上形成半导体器件的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺使被伪栅极结构遮挡的半导体衬底不受离子注入工艺的影响，而不被伪栅极结构遮挡的半导体衬底受离子注入工艺的影响而使得被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域与不被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域具有不同的刻蚀速率。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，通过控制离子注入工艺的参数，来控制被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域与不被伪栅极结构遮挡的半导体衬底区域的刻蚀速率的差异量。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺为全面离子注入工艺。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，所述离子注入工艺为垂直离子注入。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，离子注入工艺与半导体衬底有一定的夹角。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，在步骤S1中首先在半导体衬底上形成有多条鳍体，多条鳍体并行排列，再形成多条多晶硅栅行，多条多晶硅栅行并行排列，并多条多晶硅栅行与多条鳍体交叉，多条鳍体与多条多晶硅栅行之间相交叠的区域形成所述伪栅极结构，步骤S5中形成的所述凹槽位于多条鳍体上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，所述凹槽为∑型结构或U型结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为PMOS器件，所述嵌入式外延层为锗硅外延层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的用于形成嵌入式外延层的凹槽的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为NMOS器件，所述嵌入式外延层为磷硅外延层。