[发明专利]一种提升栅氧膜厚均匀性的方法

权利要求书

1.一种提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供N个衬底样品，在所述N个衬底样品上分别进行离子注入，形成阱区；

步骤二、分别在所述N个衬底样品中的N-1个衬底样品的阱区表面掺杂相同能量、不同剂量的氮离子，形成分别位于所述N-1个衬底样品的所述阱区上表面的氮掺杂层；

步骤三、分别对所述N-1个衬底样品的所述阱区进行退火以激活所述氮掺杂层中的氮离子；

步骤四、在所述N个衬底样品中没有氮掺杂层的其中一个衬底样品的所述阱区上表面生长栅氧；在所述N-1个衬底样品上的所述氮掺杂层上生长栅氧；在所述N个衬底样品上生长所述栅氧的温度和时间相同；

步骤五、分别量测所述N个衬底样品上所述栅氧的膜厚和均匀度；在栅氧膜厚允许的范围内选择所述栅氧均匀度最佳的所述衬底样品对应的氮离子掺杂的能量E和注入的剂量M；

步骤六、提供衬底，在所述衬底上进行离子注入，形成阱区；

步骤七、在所述衬底的所述阱区表面掺杂所述能量E、所述剂量M的氮离子，形成位于所述衬底的所述阱区上表面的氮掺杂层A；

步骤八、对所述衬底的所述阱区进行退火以激活所述氮掺杂层A中的氮离子；

步骤九、在所述衬底上的所述氮掺杂层上生长栅氧。

2.根据权利要求1所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤一中在所述衬底上进行N型离子注入，形成N型阱区。

3.根据权利要求1所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤一中在所述衬底上进行P型离子注入，形成P型阱区。

4.根据权利要求1所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤一中提供四个所述衬底样品；步骤二分别在所述四个衬底样品中的三个衬底样品的所述阱区表面掺杂相同能量、不同剂量的氮离子。

5.根据权利要求4所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤二中分别在所述三个衬底样品的所述阱区表面掺杂的氮离子的能量为4KV。

6.根据权利要求5所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤二中在所述三个衬底样品的所述阱区表面掺杂的氮离子剂量范围为：大于或等于1E14at/cm2且小于或等于3E15at/cm2。

7.根据权利要求6所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤二中在所述三个衬底样品的所述阱区表面掺杂的氮离子剂量分别为：1E14at/cm2、1E15at/cm2、3E15at/cm2。

8.根据权利要求7所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤五中所述栅氧膜厚允许的范围为：大于或等于且小于或等于

9.根据权利要求8所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤五中分别量测所述四个衬底样品上的所述栅氧的膜厚，其中没有所述氮掺杂层的所述衬底样品上的所述栅氧的膜厚为注入氮离子剂量为1E14at/cm2的所述衬底样品上的所述栅氧膜厚为注入氮离子剂量为1E15at/cm2的所述衬底样品上的所述栅氧膜厚为注入氮离子剂量为3E15at/cm2的所述衬底样品上的所述栅氧膜厚为

10.根据权利要求9所述的提升栅氧膜厚均匀性的方法，其特征在于：步骤五中分别量测所述四个衬底样品上的所述栅氧的均匀度，其中没有所述氮掺杂层的所述衬底样品上的所述栅氧的均匀度为0.7％；注入氮离子剂量为1E14at/cm2的所述衬底样品上的所述栅氧的均匀度为0.59％；注入氮离子剂量为1E15at/cm2的所述衬底样品上的所述栅氧的均匀度为0.23％；注入氮离子剂量为3E15at/cm2的所述衬底样品上的所述栅氧的均匀度为0.3％。