[发明专利]半导体器件、半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

形成覆盖所述衬底的第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行图案化处理，形成交替分布的多个通孔和多个隔离结构；

在各所述通孔内分别形成导电接触塞，所述导电接触塞覆盖于所述通孔底部，且包括邻接设置的第一区域和第二区域，位于所述第一区域的导电接触塞覆盖所述隔离结构的外壁且沿所述外壁延伸至所述隔离结构背离所述衬底的表面；

形成覆盖于所述导电接触塞的侧壁及表面的钝化层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，位于所述第二区域的导电接触塞背离所述衬底的表面低于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成覆盖于所述导电接触塞的侧壁及表面的钝化层包括：

采用等离子体处理工艺在所述导电接触塞的表面形成钝化层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述隔离结构和所述导电接触塞包括：

采用化学气相沉积工艺在所述衬底上形成第一绝缘层；

对所述第一绝缘层进行图案化处理，形成多个间隔分布的通孔；

形成覆盖所述第一绝缘层的导电层，所述导电层填满各所述通孔；

采用干法蚀刻工艺蚀刻所述导电层和所述第一绝缘层，以形成多个隔离结构，各所述隔离结构与各所述通孔交替分布；所述导电层具有分别露出各所述隔离结构的开口，且各所述开口分别与各所述通孔部分重合；

对所述通孔中与所述开口重叠部分的导电层进行蚀刻，以形成具有第一区域和第二区域的导电接触塞，位于所述第一区域的导电接触塞覆盖所述隔离结构的外壁且沿所述外壁延伸至所述隔离结构背离所述衬底的表面，位于所述第二区域的导电接触塞背离所述衬底的表面低于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述钝化层和所述第一绝缘层共同构成的结构的表面形成第二绝缘层，所述第二绝缘层填充于各所述导电接触塞之间的间隙。

6.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一绝缘层，覆盖于所述衬底，且包括交替分布的多个通孔和多个隔离结构；

多个导电接触塞，分别覆盖于各所述通孔底部，各所述导电接触塞均包括邻接设置的第一区域和第二区域，位于所述第一区域的导电接触塞覆盖所述隔离结构的外壁且沿所述外壁延伸至所述隔离结构背离所述衬底的表面；

钝化层，覆盖于所述导电接触塞的侧壁及表面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第二区域的导电接触塞背离所述衬底的表面低于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为3nm～8nm。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第二绝缘层，形成于所述钝化层和所述第一绝缘层共同构成的结构的表面，所述第二绝缘层填充于各所述导电接触塞之间的间隙。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求6-9任一项所述的半导体结构，以及

电容阵列，所述电容阵列包括多个间隔排布的柱状电容，各所述柱状电容分别形成在各所述导电接触塞上，且所述柱状电容的下电极层与所述导电接触塞接触连接。