[发明专利]一种形成浅沟槽隔离的方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成氧化物和氮化物；

将所述氮化物进行图案化处理形成氮化物掩膜，并露出要形成沟槽的目标区域；

刻蚀所述目标区域至所述半导体衬底以形成所述沟槽；

填充所述沟槽；

采用至少两个阶段刻蚀去除所述氮化物掩膜，其中，所述氮化物与所述氧化物之间的选择比在刻蚀过程中递增。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用至少两个阶段刻蚀去除所述氮化物掩膜，包括：

针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀参数去除所述氮化物掩膜，其中，所述刻蚀参数为刻蚀温度和/或刻蚀浓度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀温度的范围为140℃～168℃。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液浓度的范围为70wt％～95wt％。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀参数去除所述氮化物掩膜，包括：

针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀温度去除所述氮化物掩膜，其中，所述至少两个阶段中，上一阶段的刻蚀温度高于下一阶段的刻蚀温度。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀参数去除所述氮化物掩膜，包括：

针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀浓度去除所述氮化物掩膜，其中，所述至少两个阶段中，上一阶段的刻蚀浓度高于下一阶段的刻蚀浓度。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀参数去除所述氮化物掩膜，包括：

针对所述至少两个阶段中的每个阶段，采用该阶段对应的刻蚀浓度和刻蚀温度去除所述氮化物掩膜，其中，所述至少两个阶段中，上一阶段的刻蚀温度高于下一阶段的刻蚀温度，且所述上一阶段的刻蚀液浓度高于所述下一阶段的刻蚀液浓度。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述至少两个阶段包括第一阶段、第二阶段以及第三阶段，所述第一阶段的刻蚀温度范围为162℃～168℃，所述第一阶段的刻蚀温度与所述第二阶段的刻蚀温度的差值范围为0.3℃～3℃，所述第二阶段的刻蚀温度与所述第三阶段的刻蚀温度的差值范围为0.2℃～3.5℃。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述至少两个阶段包括第一阶段、第二阶段以及第三阶段，所述第一阶段的刻蚀浓度范围为88wt％～95wt％，所述第一阶段的刻蚀浓度与所述第二阶段的刻蚀浓度的差值范围为0.2wt％～1wt％，所述第二阶段的刻蚀浓度与所述第三阶段的刻蚀浓度的差值范围为0.2wt％～1.5wt％。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其特征在于，所述将所述氮化物进行图案化处理形成氮化物掩膜，包括：在所述氮化物上形成光刻胶图像，并根据所述光刻胶图案形成所述氮化物掩膜；

所述填充所述沟槽，包括：在所述沟槽中填充氧化物或氮化物。