[发明专利]具有可控迁移路径的阻变存储器及其制作方法在审
| 申请号： | 202010995203.4 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112289928A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 唐建石;牟星;吴华强;高滨;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 付文虹 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 可控 迁移 路径 存储器 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有可控迁移路径的阻变存储器，其特征在于，包括：上电极、阻变层、下电极和衬底；
其中，所述上电极、所述阻变层、所述下电极和所述衬底依次叠放；
所述阻变层具有晶体结构，所述衬底具有特定晶向。
2.根据权利要求1所述的具有可控迁移路径的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的晶体结构由氧四面体结构和氧八面体结构堆垛形成，并在所述氧四面体结构中形成规则排列的迁移路径。
3.根据权利要求1或2所述的具有可控迁移路径的阻变存储器，所述阻变层为钙铁石材料。
4.根据权利要求3所述的具有可控迁移路径的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层可在钙铁石结构和钙钛矿结构之间转换。
5.根据权利要求1所述的具有可控迁移路径的阻变存储器，其特征在于，所述衬底被转换为导体时可用作于所述下电极。
6.一种具有可控迁移路径的阻变存储器的制作方法，其特征在于，包括：
利用脉冲激光沉积在晶向衬底上生长下电极和阻变层，其中，所述阻变层具有晶体结构；
在所述阻变层上方生长上电极。
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