[发明专利]一种杂散光吸收器、光芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种杂散光吸收器，其特征在于：包括开设在光芯片上的凹槽，凹槽内填充有可将不同波长、不同模式和不同角度的杂散光全部吸收的吸收材料，凹槽的长度、宽度以及深度均为微米级或亚微米级。

2.根据权利要求1所述的杂散光吸收器，其特征在于：所述倾斜面为直线斜面或曲线斜面。

3.根据权利要求2所述的杂散光吸收器，其特征在于：所述凹槽采用CMOS的灰度刻蚀工艺或者机械刻蚀的制作。

4.根据权利要求3所述的杂散光吸收器，其特征在于：光吸收材料为吸光环氧树脂、吸光聚合物或吸光涂层。

5.一种光芯片，包括输入波导、输出波导，至少一条光信号传输波导和/或至少一个敏感区域；其特征在于：输入波导两侧设置两个如权利要求1-4所述杂散光吸收器，用于将输入波导输出的杂散光进行吸收。

6.根据权利要求5所述光芯片，其特征在于：输出波导两侧设置两个如权利要求1-4所述杂散光吸收器，用于将输出波导输出的杂散光进行吸收。

7.根据权利要求6所述光芯片，其特征在于：光信号传输波导一侧或两侧设有如权利要求1-4所述杂散光吸收器，用于将光信号传输波导输出的杂散光进行吸收。

8.根据权利要求7所述光芯片，其特征在于：其特征在于：每一个敏感区域被多个如权利要求1-4所述杂散光吸收器包围其中。

9.一种光芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：芯片本体制作

步骤1.1：在基层上依次采用沉积或生长的方式制作下包覆层、波导层以及上包覆层，从而构成光芯片本体；

步骤1.2：采用CMOS灰度刻蚀的方式在光芯片本体上开设凹槽；

步骤2：向凹槽内填充光吸收材料，在光芯片上形成宽波段杂散光吸收器后再对光芯片进行封装。

10.根据权利要求9所述的光芯片的制作方法，其特征在于，还包括

封装前检测步骤，具体是：

执行完步骤1后判断开设凹槽后的光芯片的光串扰影响是否符合使用需求，

若符合要求，则对直接对光芯片进行封装；

若不符合要求，则执行步骤2。