[发明专利]薄膜体声波谐振器的制造方法及滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

形成具有第一牺牲层的第一衬底；

在所述第一衬底上依次形成第一电极、形成压电层和形成第二电极，所述第一电极覆盖所述第一牺牲层；

在所述第一电极、所述第二电极至少其中之一上形成贯穿相应电极的环形沟槽；在形成有所述环形沟槽的相应电极上形成具有拱形桥结构的电极引出结构，所述拱形桥结构与所述环形沟槽相对；

去除所述第一牺牲层，形成第一空腔。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，在形成有所述环形沟槽的相应电极上形成具有拱形桥结构的电极引出结构的方法包括：

在形成有所述环形沟槽的所述第一电极上形成具有拱形桥结构的电极引出结构的方法包括：在形成第一电极之前，在所述第一牺牲层上形成具有拱形桥结构的所述电极引出结构，所述电极引出结构从有效谐振区的四周延伸至所述第一牺牲层外围的所述第一衬底上；和/或，

在形成于所述环形沟槽的所述第二电极上形成具有拱形桥结构的所述电极引出结构的方法包括：在形成第二电极之后，在所述第二电极上形成具有所述拱形桥结构的所述电极引出结构，所述电极引出结构从从有效谐振区的四周延伸至所述第一牺牲层外围的所述第一衬底上。

3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一牺牲层上形成具有拱形桥结构的所述电极引出结构的方法包括：

在所述第一牺牲层上形成第一凹槽，所述第一凹槽位于有效谐振区的四周；

在所述第一凹槽内形成第二凹槽，所述第二凹槽深度大于所述第一凹槽的深度，且所述第二凹槽位于所述有效谐振区的边缘；

在所述第一凹槽内形成所述电极引出结构，所述电极引出结构填充满所述第二凹槽以外的所述第一凹槽；

在位于所述第二凹槽内的电极引出结构上形成第一环形牺牲凸起；

在所述第一衬底上形成第一电极，覆盖所述第一牺牲层、所述第一牺牲凸起和所述电极引出结构；

刻蚀所述第一电极，形成环形沟槽；

去除所述第一环形牺牲凸起，形成所述环形空隙。

4.根据权利要求3所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第二凹槽围成封闭的环形。

5.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述在所述第二电极上形成具有所述拱形桥结构的所述电极引出结构的方法包括：

刻蚀所述第二电极形成环形沟槽，所述环形沟槽位于所述第一牺牲层范围内；

填充所述环形沟槽形成第二环形牺牲凸起，所述第二环形牺牲凸起覆盖所述环形沟槽周边区域的所述第二电极；

在所述第二电极上形成电极引出结构，覆盖所述第二环形牺牲凸起，并延伸至所述第一牺牲层外围的所述第一衬底上，所述电极引出结构覆盖至少部分位于有效谐振区内的所述第二电极；

去除所述第二环形牺牲凸起形成环形空隙和环形沟槽。

6.根据权利要2所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极和/或所述第二电极的四周延伸至所述第一牺牲层外围的所述第一衬底上。

7.根据权利要1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极其中之一设有电极引出结构，所述电极引出结构和未设有所述电极引出结构的相应电极分别具有延伸至所述有效谐振区外的第一部分，所述第一部分作为电极连接端。

8.根据权利要7所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，在形成所述电极引出结构时还包括图形化所述电极引出结构，在形成未设有所述电极引出结构的相应电极时还包括图形化所述相应电极，以使所述电极引出结构与未形成所述电极引出结构的相应电极至少部分在所述拱形桥结构的外围相互错开。