[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

形成第一电极、第二电极和压电层，其中所述压电层位于所述第一电极和所述第二电极之间；

在所述第一电极上形成支撑层；

图形化所述支撑层，形成贯穿所述支撑层的第一空腔；

在所述支撑层上形成第一衬底，所述第一衬底遮盖所述第一空腔；

所述第一电极、所述第二电极至少其中之一具有拱形桥，具有拱形桥的电极的形成方法包括：

形成环形牺牲凸起；沉积导电材料层，覆盖所述环形牺牲凸起及所述环形牺牲凸起周边区域；去除所述环形牺牲凸起形成环形空隙。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述形成第一电极、第二电极和压电层的方法包括：

提供承载衬底；在所述承载衬底上形成第一电极；

形成所述第一衬底后，去除所述承载衬底，在所述第一电极与所述第一空腔相对的一侧形成压电层；

在所述压电层上形成第二电极；或，

提供承载衬底；在所述承载衬底上形成压电层；

在所述压电层上形成第一电极；

形成所述第一衬底后，去除所述承载衬底，在所述压电层上形成第二电极；或

提供承载衬底；在所述承载衬底上形成第二电极；

在所述第二电极上形成压电层；

在所述压电层上形成第一电极；

形成所述第一衬底后，去除所述承载衬底。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述压电层包括：

形成的所述压电层遮盖所述第一空腔且延伸至所述第一空腔外；或，

形成所述压电层后，在所述压电层中形成沟槽，所述沟槽与所述拱形桥相对。

4.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述沟槽为封闭的环形，或，

所述沟槽间断设置，所述有效谐振区内的压电层通过间断处与所述有效谐振区外的所述压电层相连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均设有所述拱形桥，所述第一电极的拱形桥与所述第二电极的拱形桥相对设置。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极从所述有效谐振区的四周延伸至所述第一衬底上；或，所述第一电极和所述第二电极均从所述有效谐振区的四周延伸至所述第一衬底上。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极后，还包括图形化所述第一电极和所述第二电极，使所述第一电极和所述第二电极在所述第一衬底方向上的投影在所述拱形桥的外周相互错开。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述支撑层的材料包括：二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝、氮氧化硅、碳氮化硅。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极的材料包括：钼、铝、铜、钨、钽、铂、钌、铑、铱、铬、钛、金、锇、铼或钯中的一种或多种的组合。

10.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述压电层的材料包括：氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾或钽酸锂。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述环形牺牲凸起的材料包括磷硅玻璃、低温二氧化硅、硼磷硅玻璃、锗、碳、聚酰亚胺或光阻剂。

12.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述在所述支撑层上形成第一衬底包括：

在所述支撑层或所述第一衬底上形成键合层，通过所述键合层键合所述第一衬底和所述支撑层，以遮盖所述第一空腔。