[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底的上表面形成空腔；

在所述空腔中形成牺牲层；

在所述第一衬底上、所述牺牲层上依次形成叠置的第一电极、压电层和第二电极；

所述第一电极、所述第二电极至少其中之一具有环形拱形桥，所述环形拱形桥背离所述压电层凸起，所述环形拱形桥的内表面围成环形空隙；

去除所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述环形空隙围成的区域为谐振器的有效谐振区，所述有效谐振区的所述第一电极、所述第二电极和所述压电层在垂直于所述压电层方向上相互叠置。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极具有环形拱形桥结构，形成所述第一电极、压电层包括：

在所述牺牲层中形成环状凹槽；

沉积导电材料层，覆盖所述环状凹槽及所述牺牲层，以形成带有环形拱形桥的第一电极；

形成第二牺牲层，覆盖所述环形拱形桥所在的区域，所述第二牺牲层的上表面与未设有所述环形拱形桥的所述第一电极的上表面齐平；

形成压电层，覆盖所述第一电极和所述第二牺牲层。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第二电极具有环形拱形桥结构，形成所述第二电极包括：

在所述压电层的表面形成牺牲凸起材料层，图形化所述牺牲凸起材料层形成环形牺牲凸起；

沉积导电材料，覆盖所述环形牺牲凸起及所述压电层；

去除所述环形牺牲凸起后，形成带有环形拱形桥的第二电极。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述压电层包括：

形成所述压电层后，在所述压电层中形成沟槽，所述沟槽与所述环形拱形桥相对。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述沟槽为封闭的环形；或，

所述沟槽间断设置，所述有效谐振区内的压电层通过间断处与所述有效谐振区外的所述压电层相连接。

7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均设有所述环形拱形桥，所述第一电极的环形拱形桥与所述第二电极的环形拱形桥相对设置。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极从所述有效谐振区的四周延伸至所述第一衬底上；或，所述第一电极和所述第二电极均从所述有效谐振区的四周延伸至所述第一衬底上。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极和所述第二电极时还包括图形化所述第一电极和所述第二电极，使所述第一电极和所述第二电极在所述第一衬底方向上的投影在所述环形拱形桥的外周相互错开。

10.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极的材料包括：钼、铝、铜、钨、钽、铂、钌、铑、铱、铬、钛、金、锇、铼或钯中的一种或多种的组合。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述压电层的材料包括：氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾或钽酸锂。

12.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述牺牲层或所述环形牺牲凸起的材料包括磷硅玻璃、低温二氧化硅、硼磷硅玻璃、锗、碳、聚酰亚胺或光阻剂。