[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法和滤波器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：

压电叠层结构，所述压电叠层结构包括从下至上依次叠置的第一电极、压电层和第二电极；

所述第一电极和所述第二电极至少其中之一包括向远离所述压电层表面方向凸起的环形拱形桥，所述拱形桥的内表面围成环形空隙，所述环形空隙围成的区域为所述谐振器的有效谐振区。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述拱形桥与其所在的电极材料相同，为一体结构。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极、所述第二电极其中之一设有所述拱形桥；或者，

所述第一电极和所述第二电极均设有所述拱形桥。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均具有延伸至所述有效谐振区外的部分，所述部分作为电极连接端。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述有效谐振区外的部分区域所述第一电极和所述第二电极非相对。

6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电叠层结构位于具有空腔的第一衬底上，所述第一电极、第二电极至少其中之一的四周延伸至所述空腔外的第一衬底上。

7.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层遮盖所述空腔且延伸至所述空腔外。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层中设有沟槽，所述沟槽与所述拱形桥相对。

9.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述沟槽贯穿所述压电层。

10.根据权利要求8所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述沟槽为连续的结构或所述沟槽为间断的结构。

11.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区的形状为不规则多边形。

12.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于所述压电叠层结构位于具有声反射镜的第二衬底上。

13.根据权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一衬底包括基底和支撑层，所述支撑层和所述压电叠层结构依次层叠于所述基底上，所述空腔设置于所述支撑层中；或所述第一衬底为半导体衬底，所述空腔位于所述半导体衬底的上表面空腔。

14.根据权利要求13所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空腔贯穿所述支撑层；或，所述空腔延伸至所述支撑层的部分厚度。

15.根据权利要求14所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述基底的材料包括半导体材料，所述支撑层的材料包括介电材料。

16.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极的材料包括：钼、铝、铜、钨、钽、铂、钌、铑、铱、铬、钛、金、锇、铼或钯中的一种或多种的组合。

17.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括：氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、铌酸锂、石英、铌酸钾或钽酸锂。

18.一种滤波器，包括至少一个权利要求1至17任一项所述的薄膜体声波谐振器。