[发明专利]一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法

权利要求书

1.一种四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）分别称取钴盐、尿素和氟化铵，放入去离子水中，搅拌溶解得到混合溶液；钴盐与尿素的摩尔比为1:4～4:1，钴盐与氟化铵的摩尔比为1:2～2:1；

（2）将步骤（1）得到的混合溶液作为电沉积溶液，以预处理后的干净钛箔作为电沉积的正负极，恒电位电沉积，在正极钛箔上得到产物，分别用去离子水和无水乙醇洗涤电沉积产物，干燥，得到的钛箔表面负载有Co₃O₄前驱体纳米线阵列；

电沉积电位为0.5～2.5V，电沉积时间为3～24h，电沉积温度为60～90℃；

（3）将步骤（2）得到的表面负载有Co₃O₄前驱体纳米线阵列的钛箔进行煅烧，煅烧温度为250～550℃，煅烧时间为1～3h，煅烧气氛为空气或氮气，得到钛箔表面负载有Co₃O₄纳米线阵列的负极材料。

2.根据权利要求1所述四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）钴盐为乙酸钴、硝酸钴或氯化钴中的一种或几种任意比例混合物。

3.根据权利要求1所述四氧化三钴纳米线阵列负极材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）钛箔的预处理：用砂纸抛光钛箔，分别用去离子水和丙酮-异丙醇混合溶液对钛箔超声清洗，再无水乙醇洗涤，烘干，得到干净钛箔；丙酮-异丙醇混合溶液中丙酮和异丙醇的体积比为1:1。