[发明专利]利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极及制备方法与应用在审
| 申请号： | 202010997170.7 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112266045A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 万金泉;马邕文;李雪;王艳;闫志成 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C02F1/30 | 分类号： | C02F1/30;C02F1/467;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 无定形 磷酸 co pi 减缓 光电 催化 废水处理 过程 腐蚀 阳极 制备 方法 应用 | ||
1.一种利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在黑暗条件下，将掺氟氧化锡衬底移至三电极电解池中，浸泡在含有Bi(NO3)3·5H2O的电解液中，通过电沉积处理，将Bi金属膜沉积在掺氟氧化锡衬底的表面上；
(2)将乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液均匀滴加在步骤(1)所述Bi金属膜的表面上，使得乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液完全覆盖Bi金属膜的表面，升温进行退火处理，将Bi金属膜转化为BiVO4基底膜，得到具有BiVO4的FTO基板；
(3)将步骤(2)所述具有BiVO4的FTO基板浸泡在含有螯合剂的电解质溶液中，在恒温水浴条件下在BiVO4基底膜上施加恒定电位，得到BiVO4/Cu2O电极膜；
(4)使用三电极配置，将步骤(3)所述BiVO4/Cu2O电极膜浸泡在电解质溶液中，在光照条件下进行电沉积处理，得到所述利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极。
2.根据权利要求1所述的利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含有Bi(NO3)3·5H2O的电解液为Bi(NO3)3·5H2O溶解在乙二醇和水的混合溶液中得到的；所述乙二醇和水的体积比为2:1；所述Bi(NO3)3·5H2O在电解液中的质量浓度为3-4g/L。
3.根据权利要求1所述的利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三电极电解池中，Ag/AgCl电极作为参比电极，Pt片作为对电极，所述掺氟氧化锡衬底作为工作电极；所述电沉积处理的电压为-0.6Vvs.Ag/AgCl，电沉积处理的时间为7-10分钟。
4.根据权利要求1所述的利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液中，乙酰丙酮氧钒的浓度为0.05-0.1g/mL；步骤(2)所述退火处理的温度为450-500℃，退火处理的时间为1.5-2.5h；所述升温的速率为2℃/min。
5.根据权利要求1所述的利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述螯合剂为硫酸铜和乳酸中的一种以上；在所述含有螯合剂的电解质溶液中，硫酸铜的浓度为0.1-0.2mol/L，乳酸的浓度为3-6mol/L；所述含有螯合剂的电解质溶液的pH值为10.0-12.0；步骤(3)所述恒温水浴条件的温度为50℃，所述恒定电位为-0.4V vs.Ag/AgCl，所述恒定电位的施加时间为120s。
6.根据权利要求1所述的利用无定形磷酸钴Co-Pi减缓光电催化废水处理过程中腐蚀的光阳极的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述三电极配置的对电极为铂片，三电极配置的参比电极为Ag/AgCl电极；所述BiVO4/Cu2O电极膜作为工作电极；所述电解质溶液为Co(NO3)2·6H2O与磷酸钾缓冲液混合均匀得到的；在所述电解质溶液中，Co(NO3)2·6H2O的浓度为0.5mmol/L，磷酸钾的浓度为0.1mol/L。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010997170.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
