[发明专利]一种高纯锗探测器

权利要求书

1.一种高纯锗探测器，包括：P型高纯锗晶体；其中，所述P型高纯锗晶体为圆柱形，一个以上端面设置有环形的保护电极，中心设置有作为电子阻挡层的中心电极，外表面除设置保护电极的区域设置有作为空穴阻挡层的外表面电极，所述中心电极和所述外表面电极为同轴电极。

2.根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述外表面电极和所述保护电极之间设置有第一预设间距的空隙；所述保护电极和所述中心电极之间设置有第二预设间距的空隙。

3.根据权利要求1所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述高纯锗探测器还包括：与所述同轴电极连接的读出电子学，所述读出电子学设置为：读出由所述P型高纯锗晶体内的空穴和电子产生的感应电流信号的值。

4.根据权利要求3所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述读出电子学与所述同轴电极中的所述中心电极和/或所述外表面电极连接。

5.根据权利要求1～4任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述中心电极的通孔或盲孔直径范围为0.1～1毫米。

6.根据权利要求1～4任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述P型高纯锗晶体的杂质浓度位于以下取值范围内：0.3×10¹⁰厘米^-3～2.5×10¹⁰厘米^-3。

7.根据权利要求6所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述P型高纯锗晶体的杂质浓度为：1.0×10¹⁰厘米^-3。

8.根据权利要求1～4任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述P型高纯锗晶体的杂质浓度为线性变化的。

9.根据权利要求8所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述P型高纯锗晶体的杂质浓度在0.5×10¹⁰厘米^-3～1.0×10¹⁰厘米^-3之间线性变化。

10.根据权利要求1～4任一项所述的高纯锗探测器，其特征在于，所述保护电极为：内径为0.4毫米、外径为0.6毫米的环形槽结构。