[发明专利]电极连接结构、晶体管及其制备方法在审

申请号：	202010998442.5	申请日：	2020-09-21
公开（公告）号：	CN112071901A	公开（公告）日：	2020-12-11
发明（设计）人：	谢文雄;黃佳偉	申请（专利权）人：	泉芯集成电路制造(济南)有限公司
主分类号：	H01L29/40	分类号：	H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463	代理人：	严诚
地址：	250000 山东省济南市***	国省代码：	山东;37
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摘要：
搜索关键词：	电极连接结构晶体管及其制备方法
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【权利要求书】：

1.一种电极连接结构，应用于晶体管，其特征在于，所述电极连接结构包括：

电极，所述电极包括用于与外部电连接的第一接触面，所述第一接触面上开设有弧形凹槽(111)；

接触导体，所述接触导体包括用于与所述第一接触面电连接的第二接触面，所述第二接触面上设置有弧形凸部(123)，所述弧形凸部(123)与所述弧形凹槽(111)配合。

2.根据权利要求1所述的电极连接结构，其特征在于，所述电极为栅极(110)、源极(270)和漏极(280)中的任一种，所述接触导体为栅接触导体(120)、源接触导体(290)和漏接触导体(300)中的任一种，其中，所述栅极(110)与所述栅接触导体(120)电连接，所述源极(270)与所述源接触导体(290)电连接，所述漏极(280)与所述漏接触导体(300)电连接。

3.根据权利要求1所述的电极连接结构，其特征在于，所述弧形凹槽(111)的宽深比的范围为：2～5。

4.根据权利要求1所述的电极连接结构，其特征在于，所述弧形凹槽(111)的宽度等于所述第一接触面的宽度。

5.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括权利要求1～4任一项所述的电极连接结构。

6.一种电极连接结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在电极的第一接触面上开设弧形凹槽(111)；

在所述第一接触面上形成接触导体，其中，所述接触导体包括用于与所述第一接触面电连接的第二接触面，所述第二接触面上设置有弧形凸部(123)，所述弧形凸部(123)与所述弧形凹槽(111)配合。

7.根据权利要求6所述的电极连接结构的制备方法，其特征在于，所述电极为栅极(110)，所述在电极的第一接触面上开设弧形凹槽(111)包括：

采用三氟化氮或六氟化硫和氧气各向异性蚀刻所述第一接触面形成所述弧形凹槽(111)。

8.根据权利要求6所述的电极连接结构的制备方法，其特征在于，所述电极为源极(270)和漏极(280)中的任一种，所述在电极的第一接触面上开设弧形凹槽(111)包括：

采用氢溴酸加氧气与氦气各向异性蚀刻所述第一接触面形成所述弧形凹槽(111)。

9.根据权利要求6所述的电极连接结构的制备方法，其特征在于，所述在电极的第一接触面上开设弧形凹槽(111)包括：

控制对所述第一接触面的蚀刻速率，形成宽深比在预定范围的所述弧形凹槽(111)，其中，所述预定范围为：2～5。