[发明专利]SRAM器件及其形成方法

权利要求书

1.一种SRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有相邻的两晶体管，所述两晶体管均包括多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极两侧的侧墙；其中一个所述晶体管的所述多晶硅栅极和另一个所述晶体管的源极或漏极相邻；所述侧墙下方形成有轻掺杂区；

形成仅覆盖所述侧墙的保护层；

形成覆盖所述衬底、所述多晶硅栅极和所述保护层的刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层包括氮化硅层；所述刻蚀阻挡层与所述源极直接接触，高拉伸张力的所述氮化硅层提升晶体管载流子的迁移率；

形成覆盖所述刻蚀阻挡层的层间介质层；

刻蚀位于其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和侧墙上方以及位于另一个所述晶体管的源极或漏极上方的所述层间介质层和所述刻蚀阻挡层形成开孔；刻蚀过程中，所述刻蚀阻挡层与所述保护层刻蚀速率选择比大于1，使所述开孔停止在所述保护层；

刻蚀去除所述开孔暴露出的所述保护层形成共享接触孔，所述共享接触孔停止在其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和侧墙上表面以及另一个所述晶体管的源极或漏极上表面；

所述保护层包括：富硅二氧化硅层；形成所述富硅二氧化硅层的工艺包括：工艺气体为O₂和SiH₄，所述O₂ 的流量为15 ~ 35sccm ，所述SiH₄的流量为20 ~45sccm，反应腔室的功率为2500 ~ 5000W。

2.如权利要求1所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，所述保护层包括：等离子体增强氧化层和正硅酸乙酯二氧化硅层中的任意一种或两种以上的组合。

3.如权利要求2所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，形成所述正硅酸乙酯二氧化硅层的工艺包括：

对正硅酸乙酯液体进行气化处理，产生正硅酸乙酯气体；

将氧气和所述正硅酸乙酯气体通入反应腔室反应；

对所述氧气和所述正硅酸乙酯气体进行解离后反应，生成所述正硅酸乙酯二氧化硅层。

4.如权利要求1所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为50~100Å。

5.如权利要求1至4任意一项所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，所述多晶硅栅极和所述源极或漏极上各自形成有金属硅化物。

6.如权利要求1至4任意一项所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成互连层，所述互连层填充在所述共享接触孔中，且所述互连层将所述其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和另一个所述晶体管的源极或漏极电连接。

7.如权利要求1至4任意一项所述的SRAM器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙包括至少一层氧化物层和/或至少一层氮化物层。

8.一种SRAM器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有相邻的两晶体管，所述两晶体管均包括多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极两侧的侧墙；其中一个所述晶体管的所述多晶硅栅极和另一个所述晶体管的源极或漏极相邻；所述侧墙下方形成有轻掺杂区；其中一个所述晶体管的多晶硅栅极和侧墙上方以及另一个所述晶体管的源极或漏极上方形成有共享接触孔，在所述共享接触孔两侧的所述侧墙上方依次形成有保护层、刻蚀阻挡层和层间介质层；

其中，所述保护层仅覆盖所述侧墙，所述刻蚀阻挡层包括氮化硅层；所述刻蚀阻挡层与所述源极直接接触，高拉伸张力的所述氮化硅层提升晶体管载流子的迁移率；所述保护层包括：富硅二氧化硅层。