[发明专利]寄生式LDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种寄生式LDMOS器件，其特征在于，其包括：

第一导电类型的衬底；

形成于所述衬底上具有第二导电类型的外延层，以及形成于所述外延层中的LDMOS器件区和联用器件区，

所述LDMOS器件区包括源极区、漏极区和栅极区，所述源极区和所述漏极区分别分布在所述栅极区的两侧区域；

所述联用器件区设置在所述漏极区相对所述栅极区的另一侧，该联用器件区中设有一肖特基二极管，所述肖特基二极管包括阳极以及与该阳极接触的金属阴极，所述肖特基二极管的阳极通过重掺第二导电类型的离子形成，

所述联用器件区还包括围绕所述阳极设置的具有第一导电类型的体区，以及设置在该体区上的类栅极开关，所述体区隔离所述肖特基二极管与所述LDMOS器件区；

在所述寄生式LDMOS器件需要续流时，所述类栅极开关接入开启电压，使所述肖特基二极管与所述漏极区之间形成导电沟道。

2.根据权利要求1所述的寄生式LDMOS器件，其特征在于，所述类栅极开关为一围绕所述肖特基二极管一圈的栅极结构，包括与所述第一导电类型体区的表面接触的栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的栅电极。

3.根据权利要求2所述的寄生式LDMOS器件，其特征在于，所述肖特基二极管的金属阴极被所述栅极结构包围，并且通过所述栅氧化层与类栅极开关的栅电极隔离。

4.根据权利要求1所述的寄生式LDMOS器件，其特征在于，所述源极区和漏极区之间设有漂移区，所述漂移区的表面设有浅沟槽隔离、场氧化层或厚氧化层中的一个。

5.根据权利要求4所述的寄生式LDMOS器件，其特征在于，所述栅极区包括栅极氧化层和设置在该栅极氧化层上的栅电极，所述栅电极的部分延申至所述浅沟槽隔离、场氧化层或厚氧化层上，以形成场板。

6.根据权利要求4所述的寄生式LDMOS器件，其特征在于，所述外延层为轻掺的高阻层。

7.一种如权利要求1-6任意一项所述的寄生式LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

A1、提供一第一导电类型的衬底，在该衬底上制作第二导电类型轻掺的外延层；

A2、在所述外延层中分别制作LDMOS和肖特基二极管，使得该肖特基二极管位于所述LDMOS漏极的一侧并且与所述LDMOS中的沟道远离，所述肖特基二极管包括第二导电类型重掺的阳极和与该阳极接触的金属阴极，所述肖特基二极管还包括位于该肖特基二极管周围的第一导电类型体区以及设置在该第一导电类型体区上的类栅极开关。

8.根据权利要求7所述的寄生式LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述LDMOS的源极区包括第一导电类型阱区，所述第一导电类型体区与所述第一导电类型阱区在同一个掺杂工艺中形成。

9.根据权利要求7所述的寄生式LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述LDMOS的漏极区或源极区包括第二导电类型重掺区，所述肖特基二极管的第二导电类型重掺的阳极与所述LDMOS的漏极区或源极区中的第二导电类型重掺区在同一个重掺工艺中形成。