[发明专利]量子点吸光层及其制备方法、应用有效
申请号: | 202010999796.1 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112531049B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 刘宇轩;高亮;唐江;刘沛林;吴桐;刘婧;史泰龙;陈龙 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人: | 杨晓云 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 点吸光层 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种量子点吸光层的制备方法,其特征在于,所述制备方法至少包括:将含有量子点的溶液转移到基板,退火,之后熟化处理,得到所述量子点吸光层;
所述熟化处理包括:在无水的环境中静置;
所述量子点吸光层包括量子点,所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点;
所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体;
所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述量子点吸光层的厚度为100~700nm。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述含有量子点的溶液中,溶剂选自正丁胺、N,N-二甲基甲酰胺、正戊胺、正己胺、氮甲基甲酰胺、二甲基亚砜的至少一种。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂为正丁胺和N,N-二甲基甲酰胺,正丁胺与N,N-二甲基甲酰胺的体积比为1:2~6。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述含有量子点的溶液中,所述量子点的含量为200~600mg/mL。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述退火的条件:退火温度60~100℃;退火时间10~30min。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
所述熟化处理包括:在无水的环境中,10~30℃静置1~3天。
8.根据权利要求1所述的制备方法,所述熟化处理包括:在无水的环境中,60~100℃静置2~3h。
9.一种光电器件,其特征在于,所述光电器件包含权利要求1至8任一项所述的制备方法得到的量子点吸光层。
10.权利要求9所述的器件的制备方法,其特征在于,将含有量子点的溶液转移到基板上,退火,得到准量子点吸光层;
对所述准量子点吸光层进行熟化处理,得到所述量子点吸光层;
在所述量子点吸光层上涂敷其他层状结构,即可得到所述器件;
或者,
将含有量子点的溶液转移到基板上,退火,得到准量子点吸光层;
在所述准量子点吸光层上涂敷其他层状结构,之后熟化处理,即可得到所述器件。
11.一种红外探测器,其特征在于,所述红外探测器由下至上依次包括ITO导电玻璃、NiOx空穴传输层、量子点吸光层、ZnO电子传输层、Au电极;
其中,所述量子点吸光层选自权利要求1至8任一项所述的制备方法得到的量子点吸光层中的任一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的