[发明专利]接触窗结构及其形成方法

权利要求书

1.一种接触窗结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底中形成有目标层，所述基底露出所述目标层的表面；

在所述目标层表面上形成刻蚀垫片；

形成覆盖所述基底、目标层和刻蚀垫片的介质层；

刻蚀所述介质层，在所述介质层中形成刻蚀孔，所述刻蚀孔底部暴露出所述刻蚀垫片的顶部表面；

沿刻蚀孔去除所述刻蚀垫片，形成与刻蚀孔连通的刻蚀通道，所述刻蚀通道暴露出目标层的部分表面，所述刻蚀通道与刻蚀孔构成接触窗结构。

2.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀垫片的材料与所述介质层的材料不相同。

3.如权利要求2所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述介质层形成刻蚀孔时，所述介质层相对于刻蚀垫片具有高的刻蚀选择比。

4.如权利要求2所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，去除所述刻蚀垫片时，所述刻蚀垫片相对于所述介质层具有高的刻蚀选择比。

5.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀孔底部的尺寸小于所述刻蚀垫片顶部的尺寸。

6.如权利要求1或5所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀垫片的形成过程为：在所述目标层和基底上形成刻蚀垫片材料层；图形化所述刻蚀垫片材料层，在所述目标层上形成刻蚀垫片。

7.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀垫片的高度为接触窗结构的深度的1％-30％。

8.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量为一个，所述刻蚀垫片位于所述一个目标层的表面上。

9.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量多个，相应的所述刻蚀垫片的数量也为多个，每一个所述刻蚀垫片位于相应的一个目标层的表面上。

10.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量至少为一个，相应的所述刻蚀垫片的数量也至少为一个，每一个所述刻蚀垫片一部分位于相应的一个目标层的部分表面上，另一部分位于该目标层一侧的基底表面上。

11.如权利要求1所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，所述目标层的数量为多个，所述刻蚀垫片的数量为一个，一个所述刻蚀垫片横跨位于多个所述目标层的表面，去除所述刻蚀垫片形成的刻蚀通道暴露出多个目标层的部分表面。

12.如权利要求8或9或10或11所述的接触窗结构的形成方法，其特征在于，在所述接触窗结构中填充金属，形成接触插塞。

13.一种权利要求1-11任一项所述的方法形成的接触窗结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底中形成有目标层，所述基底露出所述目标层的表面；

位于所述基底和目标层上的介质层；

位于介质层中的接触窗结构，所述接触窗结构包括连通的刻蚀孔和刻蚀通道，所述刻蚀孔位于刻蚀通道上方，所述刻蚀通道暴露出目标层的部分表面，且所述刻蚀通道为在介质层中形成刻蚀孔后，通过去除位于所述目标层表面上的刻蚀垫片后形成。