[发明专利]存储器阵列的印迹恢复

权利要求书

1.一种方法，其包括：

确定一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中；

至少部分地基于确定所述一组存储器单元被压印在所述相应第一逻辑状态中，限制对所述一组存储器单元的存取；

在对所述一组存储器单元的存取被限制时在所述一组存储器单元上执行印迹恢复程序，所述印迹恢复程序旨在提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态和存储相应第二逻辑状态之间切换的能力；以及

在执行所述印迹恢复程序之后，准许存取所述一组存储器单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在执行所述印迹恢复程序之后，确定所述印迹恢复程序是否成功。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

至少部分地基于确定所述印迹恢复程序不成功，在所述一组存储器单元上执行第二印迹恢复程序。

4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：

向包含所述一组存储器单元的存储器装置的主机装置传输所述印迹恢复程序是否成功的指示。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述印迹恢复程序包括：

向所述一组存储器单元施加一或多个电压脉冲。

6.根据权利要求5所述的方法，其中：

所述一或多个电压脉冲的第一子集具有第一极性；且

所述一或多个电压脉冲的第二子集具有第二极性。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

向所述一组存储器单元写入第一组逻辑状态；

读取所述一组存储器单元以获得至少部分地基于写入所述第一组逻辑状态的第二组逻辑状态；以及

确定所述第二组逻辑状态和所述第一组逻辑状态之间的差的数量，其中确定所述一组存储器单元被压印在所述相应第一逻辑状态中至少部分地基于所述第二组逻辑状态和所述第一组逻辑状态之间的差的所述数量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述一组存储器单元包括铁电存储器单元；且

所述印迹恢复程序旨在至少部分地基于更改所述铁电存储器单元内的静电域的配置，提高所述一组存储器单元在存储所述相应第一逻辑状态和存储所述相应第二逻辑状态之间切换的所述能力。

9.一种方法，其包括：

确定提高一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的能力；

至少部分地基于确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述能力，修改所述一组存储器单元的操作参数；以及

至少部分地基于修改后的操作参数，操作所述一组存储器单元。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

确定所述一组存储器单元被压印在相应第一逻辑状态中，其中确定提高所述一组存储器单元在存储不同逻辑状态之间切换的所述能力至少部分地基于确定所述一组存储器单元被压印。

11.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述操作参数包括所述一组存储器单元的刷新操作的时间频率；且

修改所述操作参数包括增加所述一组存储器单元的刷新操作的所述时间频率。

12.根据权利要求9所述的方法，其中：

所述一组存储器单元的刷新程序包括所述一组存储器单元中的每一存储器单元的至少一个刷新操作；

所述操作参数包括针对所述一组存储器单元的每一刷新程序的刷新操作的数量；且

修改所述操作参数包括增加针对所述一组存储器单元的每一刷新程序的刷新操作的所述数量。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

通过从所述一组存储器单元读取相应第一逻辑状态并向所述一组存储器单元写入相应第二逻辑状态来执行所述数量的刷新操作。