[发明专利]一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统

说明书

本发明公开了一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统，包括以下步骤：在经等离子清洗后的基片上通过真空溅射法溅射靶材得到所述高阻膜；所述基片温度为90～150℃；所述靶材与基片间的距离为90～120mm。本发明通过改善高阻膜的制备工艺，提高膜层方阻稳定性；本发明方案的工艺气体吹向靶面，使溅射气氛中的氧与溅射的靶材原子团充分接触，使得高阻膜氧化充分，进而改善高阻膜方阻稳定性。

技术领域

本发明涉及显示装置技术领域，具体涉及一种改善高阻膜方阻稳定性的方法及系统。

背景技术

随着互联网的发展，电子设备在人们的日常生活中占据更来越高的地位。触摸屏是手机、平板电脑、电子书等电子设备的重要组成部分，按照组成结构通常可将触摸屏分为外嵌式(On-Cell)和内嵌式(In-Cell)，其中，外嵌式(On-Cell)是指将触摸面板嵌入到显示屏的彩色滤光片基板和偏光片之间的方法，即在液晶面板上配触摸传感器，由于多了一层触控层，厚度较厚，触控时容易产生的颜色不均等问题。内嵌式(In-Cell)是指将触摸面板功能嵌入到液晶像素中的方法，即在显示屏内部嵌入触摸传感器功能，既可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触摸屏的制作成本，因此，近年来内嵌式(In-Cell)触摸屏受到越来越多的面板厂家青睐。

为防止外部电场对内嵌式触摸屏造成不良影响，通常需要在In-Cell表面镀上一层特殊的膜材料(即高阻膜)，形成一种兼具高阻抗特性与良好导电性的薄膜，以实现防触控信号干扰和防静电的功能，因此，高阻膜的性能直接关系着内嵌式触摸屏的触摸效果。高阻膜膜层薄且方阻大，可较好地满足日益轻薄化的电子显示屏抗静电等性能需求，然而由于需通过电子、氧空位导电，使得现有技术中的高阻膜放置在常温环境试验过程中，易因高阻膜中的氧溢出到环境中或环境中的氧渗入高阻膜中，高阻膜中氧空位发生变化，导致高阻膜方阻变化。

因此，改善高阻膜制作工艺以提高其方阻稳定性具有重要意义。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种改善高阻膜方阻稳定性的方法，能够有效提高膜层方阻稳定性。

本发明还提出一种改善高阻膜方阻稳定性的系统。

根据本发明实施方式的方法，包括以下步骤：

在经等离子清洗后的基片上通过真空溅射法溅射靶材得到所述高阻膜；其特征在于：所述基片温度为90～150℃；所述靶材与基片间的距离为90～120mm。

根据本发明的一些实施方式，所述靶材为氧化铟掺杂氧化锆陶瓷靶材；优选地，铟与锆的物质的量之比为1:(0.3～0.5)。

根据本发明的一些实施方式，所述真空溅射法采用的工艺气体为Ar和O₂的混合物；所述Ar的分压为0.1～0.25Pa，所述O₂的分压为0.01～0.025Pa之间。

根据本发明的一些实施方式，所述工艺气体吹向靶面。本发明方案的工艺气体吹向靶面，使溅射气氛中的氧与溅射的靶材原子团充分接触，使得高阻膜氧化充分，进而改善高阻膜方阻稳定性。

根据本发明的一些实施方式，所述基片温度为100～150℃。

根据本发明的一些实施方式，靶面磁场强度为200～600高斯；优选地，所述靶面磁场强度为400～600高斯。

根据本发明的一些实施方式，所述靶材与基片间的距离为90～120mm；优选地，所述靶材与基片间的距离为100～120mm。

调整基片温度、靶面磁场强度、靶基距、溅射气压和溅射功率，协同改善靶材原子团沉积在基板表面时的能量。

根据本发明的一些实施方式，所述工艺气体采用多段式布气。通过多段式布气，提高布气的均匀性，进一步提升高阻膜的稳定性。