[发明专利]一种倏逝波耦合的波导型探测器在审
| 申请号： | 202011002337.8 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112103351A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 王方莉;张博健;王亮;郭松坡 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/101 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 倏逝波 耦合 波导 探测器 | ||
1.一种倏逝波耦合的波导型探测器，包括依次叠加设置的衬底、过渡层、吸收层、包层和P型层，所述衬底的材料为GaAs材料或InP材料；其特征在于，所述吸收层的材料选自InAs材料、GaSb材料、In0.53Ga0.47As材料、In1-x-yGayAlxAs,材料、AlaGa1-aAsbSb1-b材料或AlcIn1-cAsdSb1-d材料，所述过渡层的材料选自与所述吸收层的材料晶格相匹配的多种三元材料和/或四元材料；
其中，0x1，0y1且0x+y1；
0a1，0b1；
0c1，0d1。
2.根据权利要求1所述的波导型探测器，其特征在于，所述吸收层的材料选自InAs材料，所述过渡层选自AleGa1-eAsfSb1-f非组分渐变材料、In1-gAlgAshSb1-h非组分渐变材料、AliGa1-iPjSb1-j非组分渐变材料、AlkIn1-kPlSb1-l非组分渐变材料、AleGa1-eAsfSb1-f组分渐变材料、In1-gAlgAshSb1-h组分渐变材料、AliGa1-iPjSb1-j组分渐变材料和AleGa1-eAsfSb1-f组分渐变材料中的一种或多种；在所述非组分渐变材料和组分渐变材料同时选择时，所述非组分渐变材料的元素组成与组分渐变材料的元素组成不同；
其中0＜e＜1，0＜f＜1；0＜g＜1，0＜h＜1；0＜i＜1，0＜j＜1；0＜k＜1，0＜l＜1。
3.根据权利要求1所述的波导型探测器，其特征在于，所述吸收层为GaSb材料，所述过渡层选自AleGa1-eAsfSb1-f非组分渐变材料、AliGa1-iPjSb1-j非组分渐变材料、In1-gAlgAshSb1-h非组分渐变材料、AlkIn1-kPlSb1-l非组分渐变材料、AleGa1-eAsfSb1-f组分渐变材料、AliGa1-iPjSb1-j组分渐变材料、In1-gAlgAshSb1-h组分渐变材料或AlkIn1-kPlSb1-l组分渐变材料；在所述非组分渐变材料和组分渐变材料同时选择时，所述非组分渐变材料的元素组成与组分渐变材料的元素组成不同；
其中0＜e＜1，0＜f＜1；0＜g＜1，0＜h＜1；0＜i＜1，0＜j＜1；0＜k＜1，0＜l＜1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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