[发明专利]一种MOSFET终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种MOSFET终端结构，其特征在于，包括终端分压区，所述终端分压区内设有若干的沟槽，所述终端分压区的沟槽中靠近元胞区由内向外所所述沟槽深度逐渐加深，沟槽间距逐渐增大。

2.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于，所述沟槽设置于外延层中，且外延层的另一侧设有基层。

3.根据权利要求2所述的MOSFET终端结构，其特征在于，在外延层通过离子注入注入P型杂质，然后进行退火处理，形成沟道区。

4.根据权利要求2所述的MOSFET终端结构，其特征在于，所述沟槽内壁及所述沟槽之间的外延层上淀设有栅极氧化层。

5.根据权利要求4所述的MOSFET终端结构，其特征在于，所述沟槽内通过多晶硅填充满。

6.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于，还包括正面电极，

包括顶层金属，顶层金属连接各年接触孔，且接触孔的底部为离子注入层。

7.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于，还包括漏极，且所述漏极设于基层的另一侧，且为金属层。

8.一种MOSFET终端结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基片上进行外延生长；

掩蔽层生长；

沟槽光刻；

沟槽刻蚀；

栅氧生长以及多晶硅淀积；

多晶硅刻蚀以及平坦化；

沟槽区P+注入以及退火；

源区N+注入以及退火；

接触孔光刻；

接触孔刻蚀、接触孔注入以及杂质激活；

接触孔金属填充以及平坦化；

顶层金属淀积以及平坦化；

背面减薄、电镀，形成漏极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述终端分压区内设有若干的沟槽，所述终端分压区的沟槽中靠近元胞区由内向外所所述沟槽深度逐渐加深，沟槽间距逐渐增大。

10.根据权利要求9所述的MOSFET终端结构的制备方法，其特征在于，将内部终端沟槽的宽度由小到大设定，相同的光刻条件进行刻蚀从而实现靠近元胞区的终端沟槽实现由浅到深的排布方式；

或，将内部终端沟槽的宽度设定相同，通过增加光刻次数来控制每个沟槽的不同深度。