[发明专利]射频架构及终端设备

说明书

本发明实施例公开了一种射频架构及终端设备，用于通过对4G和5G双连接技术方案的架构进行合理优化，减小PA元器件成本，达到降成本的目的。本发明实施例方法包括：第一功率放大器PA模组，用于支持特定频段，新无线NR/长期演进LTE中的中高频段MHB；第二功率放大器PA模组，用于支持LTE中的低频段LB；第三功率放大器PA模组，用于支持LTE中的中频段MB；第一电源与所述第一PA模组连接，用于为所述第一PA模组提供电源；第二电源与所述第二PA模组连接，用于为所述第二PA模组提供电源；第三电源与所述第三PA模组连接，用于为所述第三PA模组提供电源。

技术领域

本发明涉及通信领域，尤其涉及一种射频架构及终端设备。

背景技术

在非独立组网(non-standalone，NSA)方案中，由于MHB PAMID(Middle and highBand PA Module integrated duplexer，Middle and high Band Power AmplifierModule integrated duplexer，中高频功率放大器模组)和N41模组均支持新无线(NewRadio，NR)性能，所以需要更高的电压供电，可以选择分别外挂直流变直流电源(DirectCurrent Source，DCDC)供电；而LB PAMID(Low Band PA Module integrated duplexer，低频PA模组)只支持LTE性能，因此，可以使用电源管理集成电路(Power Management IC，PMIC)供电。但是，因为MHB PAMID和N41模组需要更高的电压供电，即性能要求比较高，从而增加射频架构的复杂性。

发明内容

本发明实施例提供了一种射频架构及终端设备，用于通过对4G和5G双连接技术方案的架构进行合理优化，减小PA元器件成本，达到降成本的目的。

有鉴于此，本发明第一方面提供了一种射频架构，可以包括：

第一功率放大器PA模组，用于支持特定频段，新无线NR/长期演进LTE中的中高频段MHB；

第二功率放大器PA模组，用于支持LTE中的低频段LB；

第三功率放大器PA模组，用于支持LTE中的中频段MB；

第一电源与所述第一PA模组连接，用于为所述第一PA模组提供电源；

第二电源与所述第二PA模组连接，用于为所述第二PA模组提供电源；

第三电源与所述第三PA模组连接，用于为所述第三PA模组提供电源。

本发明第二方面提供了一种终端设备，可以包括如本发明第一方面所述的射频架构。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：

在本发明实施例中所提供的射频架构，可以包括：第一功率放大器PA模组，用于支持特定频段，新无线NR/长期演进LTE中的中高频段MHB；第二功率放大器PA模组，用于支持LTE中的低频段LB；第三功率放大器PA模组，用于支持LTE中的中频段MB；第一电源与所述第一PA模组连接，用于为所述第一PA模组提供电源；第二电源与所述第二PA模组连接，用于为所述第二PA模组提供电源；第三电源与所述第三PA模组连接，用于为所述第三PA模组提供电源。因为特定频段可以由第一PA模组来支持，不需要单独外挂特定PA模组，但为了支持M+H ENDC要求，可以外挂支持LTE中的中频MB频段的第三PA模组，而第三PA模组的成本小于特定PA模组，所以，通过对4G和5G双连接技术方案的架构进行合理优化，减小PA元器件成本，达到降成本的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例和现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，还可以根据这些附图获得其它的附图。