[发明专利]等离子体处理装置及其工作方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

反应腔，其顶部具有开口，其内底部设置基座，所述基座用于承载待处理基片；

安装基板，坐落于所述开口内；

气体喷淋头，位于所述安装基板的下方，且与基座相对设置；

电极，位于所述安装基板与气体喷淋头之间；

绝缘层，分别位于所述安装基板与电极、以及气体喷淋头与电极之间；

直流电流，与所述电极电连接，以使所述气体喷淋头吸附在安装基板上。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述安装基板上设有若干个安装通孔；

所述电极上设有若干个安装盲孔，所述安装通孔与所述安装盲孔一一对应；

采用第一固定件贯穿所述安装通孔并停止于所述安装盲孔内，以将所述安装基板和所述电极固定连接。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极为U形结构，所述安装基板位于所述电极内部，采用第二固定件将所述电极的侧壁与所述安装基板的侧壁进行连接。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二固定件为若干个第一螺钉，每一所述第一螺钉贯穿所述电极的侧壁并停止于所述安装基板内。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述安装基板具有相对的第一表面和第二表面，所述安装基板上间隔设置有贯穿所述第一表面和第二表面的若干个第一气孔，每一所述第一气孔的第一端接入反应气体的气源，其第二端与所述气体喷淋头连通。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：气体缓冲件，其设置在所述安装基板的上方，与所述第一表面构成一密闭的空间，用于缓冲从所述气源的气路管传入的反应气体；

加热器，其环绕所述气体缓冲件的外围设置；所述加热器与所述安装基板之间设有石墨导热片，

所述加热器产生的热量通过所述石墨导热片、安装基板和电极传导到气体喷淋头上，以对气体喷淋头的温度进行控制。

7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极具有相对的第三表面和第四表面，所述第二表面与所述第三表面相接触，所述电极上间隔设置有贯穿所述第三表面和第四表面的若干个第二气孔，所述第一气孔与所述第二气孔一一对应设置，每一所述第二气孔的一端与所述第一气孔的第二端连通，其另一端与所述气体喷淋头连通。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：上接地环，所述上接地环的内边缘设有一环形台阶，所述气体喷淋头位于所述上接地环的内部，其边缘搭载在所述环形台阶上，通过将所述上接地环固定于所述电极上，以固定所述气体喷淋头。

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述电极的边缘上间隔设有若干个第一通孔，所述上接地环的外边缘上间隔设置有若干个盲孔，所述第一通孔与所述盲孔一一对应设置。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：若干个第二螺钉，每一所述第二螺钉贯穿所述第一通孔并停止于所述盲孔内。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述上接地环还包括一凸出部，所述凸出部位于所述环形台阶上，所述气体喷淋头上设有一凹陷部，所述凸出部与所述凹陷部相匹配以实现两者之间的对准。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：若干个垫片，每一所述垫片位于所述第二螺钉与所述安装基板之间，且分别与所述第二螺钉和所述安装基板的第二表面接触。