[发明专利]抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法有效

专利信息
申请号: 202011004538.1 申请日: 2020-09-22
公开(公告)号: CN112078201B 公开(公告)日: 2022-10-25
发明(设计)人: 丁文红;臧之祺 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;B32B15/18;B32B7/10
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 程力
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 抑制 合金 元素 导致 腐蚀 方法
【权利要求书】:

1.一种抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法,其特征在于:以钢为基材、镍基合金为覆材制备异质金属层状复合材料,轧制变形时,加热至1150℃-1250℃开始轧制,且轧程总压缩比不低于80%,轧制速度不低于50m/min,在总压缩比中,900℃以上温度的压缩比为总压缩比的70%-95%,在800℃至900℃的温度区间进行不少以1道次的轧制,且在800℃至900℃的温度区间的轧制压缩比为总压缩比的5%-30%范围,以在晶粒内引入一定数量的位错,将终轧温度控制在800℃至900℃之间;其中,在800℃至900℃的温度区间进行轧制时,是在镍基合金再结晶温度以下温度进行轧制变形,改善合金元素在镍基合金中的分布,抑制合金元素偏聚所导致的晶界腐蚀,提升直接轧制镍基合金/钢复合板的耐蚀性能,避免热轧后增加固溶处理对复合板冲击韧性的影响。

2.如权利要求1所述的抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法,其特征在于:在镍基合金再结晶温度以下温度进行轧制变形改善合金元素在镍基合金中的分布时,在镍基合金晶粒内引入位错,并在位错中心形成低能位,在位错作用下,再结晶过程中,由于溶质原子拖拽效应偏聚在晶界处的包含Mo、Nb在内的合金元素开始由晶界向晶粒内移动,从而抑制合金元素在晶界的偏聚。

3.如权利要求1或2任一所述的抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法,其特征在于:基材为碳钢。

4.如权利要求1或2任一所述的抑制合金元素偏聚导致的晶界腐蚀的方法,其特征在于:覆材包括Inconel625合金、Inconel825合金。

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