[发明专利]一种晶圆的检测装置及其检测方法在审
申请号: | 202011004871.2 | 申请日: | 2020-09-22 |
公开(公告)号: | CN112117219A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 霍建忠;朱万杰 | 申请(专利权)人: | 苏州思达优科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
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地址: | 215000 江苏省苏州市苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 装置 及其 方法 | ||
本发明涉及了晶圆生产加工领域,具体的是一种晶圆的检测装置及其检测方法,其中墨滴调整单元包括基盘、喷墨回收结构和喷墨单元切换机构,基盘用于承载喷墨单元喷射的墨滴,喷墨回收结构用于对基盘上的墨滴进行回收,喷墨单元切换机构用于切换不同的喷墨单元,以对晶圆进行连续性检测,避免了现有技术需要将基盘单独取下来进行清洗的缺陷,减少操作步骤,提高运行效率。本发明的有益效果在于:能够在喷墨单元喷墨异常时及时对喷墨单元进行切换,对喷墨单元进行调整时无需停止对晶圆的检测,提高晶圆检测和标记的连续性和可靠性;另外,喷墨回收结构能够对基盘上的墨滴进行快速清理,从而方便对喷墨单元的喷墨效果进行调整。
技术领域
本发明涉及了晶圆生产加工领域,具体的是一种晶圆的检测装置及其检测方法。
背景技术
在半导体工艺中,随着晶圆尺寸的增大及元器件尺寸的缩小,一片晶圆可依需要划分为数千个相同或不同的晶粒。由于工艺设计、制造及材料本身的特性,最终完成的晶圆通常含有部分缺陷晶粒。因此,在半导体制作工艺的后端工艺中,通常还会利用测试机台来测试晶圆上的每一个晶粒,以确保出厂的每一个晶粒的电气特性与效能符合设计规格。在测试的过程中,如果发现缺陷晶粒则需要标记。
现有技术中对缺陷晶粒进行标记的方法主要有三种,包括用墨水喷涂在缺陷晶粒上、用电子枪或激光使缺陷晶粒产生刻痕、或用计算机记录整片晶圆上正常晶粒及缺陷晶粒的位置从而获得晶圆缺陷图表。利用电子枪或激光生成的标记不容易有肉眼直接判断,只能依靠机器来辨别,应用范围较窄,成本较高。而利用计算机记录整片晶圆上正常晶粒及缺陷晶粒的位置时,由于不同晶圆具有不同的晶圆缺陷图表,计算机内存储的晶圆缺陷图表可能无法准确地对应于实际晶圆,且计算机内存储的晶圆缺陷图表可能遗失或损坏(因计算机操作不当或人为疏忽)。因此,虽然利用墨水喷涂在缺陷晶粒进行标记的方法已使用了较长的时间,但仍有很多半导体厂商利用墨水喷涂在缺陷晶粒进行标记。
但是由于晶粒的尺寸很小,喷涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸也很小,测试机台中较细的喷墨口不容易控制墨滴的大小,且即使是同一瓶的墨-水中墨水的粘稠度也会有差异,通入喷墨头的墨水中可能还存在气泡,可能使得某段时间喷墨头喷出的墨滴的尺寸过大或过小,当墨滴过小时,测试机台和肉眼都不容易分辨缺陷晶粒,当墨滴过大时,墨水会覆盖在缺陷晶粒周围的正常晶粒的表面,使得所述正常晶粒报废。
在现有技术中,当测试员发现喷涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸过大或过小时,只能停止晶圆测试工艺,将正在检测的晶圆从测试机台中取出,并在测试机台中放置一块报废的晶圆,让测试机台在报废的晶圆上进行喷墨,直到喷出的墨滴尺寸恢复正常,符合一定的规格后,再将报废的晶圆从测试机台中取出,将正在检测的晶圆重新放入测试机台继续检测。但利用所述方法不仅需要人工操作,且晶圆从测试机台拿进拿出会使得墨滴大小调整的时间变长,从而使得整个晶圆的测试时间变长。
发明内容
为了克服现有技术中的缺陷,本发明提供了一种晶圆的检测装置及其检测方法,能够快速在晶圆的缺陷部分滴上墨滴,在喷墨单元出现问题时快速进行切换,提高检测的连续性和可靠性。
本申请实施例公开了:一种晶圆的检测装置,用于对放置在载物台上的晶圆进行检测和标记,包括:
晶圆检测单元,用于检测晶圆中的缺陷晶粒;
喷墨单元,根据测试结果在晶圆中缺陷晶粒的表面喷涂上墨滴;
墨滴调整单元,用于调整喷墨单元喷涂出的墨滴的尺寸,当喷涂在缺陷晶粒表面的墨滴尺寸不符合规格时,将喷墨单元在所述墨滴调整单元上喷涂墨滴,直到喷涂在所述墨滴调整单元表面的墨滴的尺寸调整到符合规格时,再将喷墨单元移回晶圆的上方或将晶圆移回喷墨单元的下方,使喷墨单元重新根据测试结果在晶圆中缺陷晶粒的表面喷涂上墨滴;
墨滴检测单元,用于检测墨滴调整单元表面墨滴的尺寸是否符合规格;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造