[发明专利]场效应晶体管器件、制备方法及电池管理系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底分为第一区和第二区，以与所述衬底的纵向方向垂直且位于所述衬底的中间位置的假想线为基准，所述第一区位于所述衬底的纵向方向的上侧，所述第二区位于所述衬底的纵向方向的下侧，

在所述第一区的衬底上形成有第一场效应晶体管结构，其中，所述第一区的衬底上形成有第一栅极结构，所述第一栅极结构之上形成有第一源极结构，在所述第二区的衬底上形成有第二场效应晶体管结构，其中，所述第二区的衬底上形成有第二栅极结构，所述第二栅极结构之下形成有第二源极结构，并且通过所述第一区的衬底和所述第二区的衬底来实现所述第一场效应晶体管结构的第一漏极结构和所述第二场效应晶体管结构的第二漏极结构相互连接，

其中，当所述第一场效应晶体管结构与所述第二场效应晶体管结构导通时，通过改变所述第一栅极结构及第二栅极结构被施加的电压的方向，来使得电流在所述纵向方向的两个方向中流通。

2.如权利要求1所述场效应晶体管器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管结构和所述第二场效应晶体管结构为相对于所述假想线对称的结构。

3.如权利要求1或2所述的场效应晶体管器件，其特征在于，所述第一场效应晶体管结构包括：

第一多晶硅栅，所述第一多晶硅栅位于在所述第一区的衬底中形成的第一介质槽的内部，所述第一多晶硅栅顶部低于所述衬底上表面；

第一栅氧化层，所述第一栅氧化层夹在所述第一多晶硅栅与所述第一区的衬底之间；

第一阱区，所述第一阱区位于所述第一区的衬底上，所述第一阱区的底部高于所述第一多晶硅栅的底部或者与所述第一多晶硅栅的底部齐平，所述第一阱区的边缘与所述第一介质槽的边缘相切，并且所述第一阱区为第二导电类型，以及所述衬底为第一导电类型；

第一源区，所述第一源区位于所述第一阱区之上，所述第一源区的底部低于所述第一多晶硅栅的顶部，所述第一源区的边缘与所述第一介质槽的边缘相切，并且所述第一源区为第一导电类型以及所述衬底为第一导电类型；

第一体接触区，所述第一体接触区位于所述第一源区，所述第一体接触区的底部位于所述第一源区的底部与所述第一阱区的底部之间的位置；以及

第一金属接触层，所述第一金属接触层的底部分别与所述第一介质层、第一源区及第一体接触区的上表面相切来构成源极结构。