[发明专利]肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，包括：

衬底层；

特征在于还包括：

位于所述衬底层上的第一结构和第二结构，其中所述第一结构与所述第二结构之间为隔离槽结构，所述第一结构包括第一主体区和从所述第一主体区延伸的悬臂梁，所述第二结构包括第二主体区；以及

肖特基接触结构，该肖特基接触结构包括：

台面结构，位于所述第二主体区上；

钝化层，位于所述第二主体区上并且包围所述台面结构，其中所述钝化层的厚度与所述台面结构的厚度相同；以及

接触金属层，位于所述台面结构上并与所述悬臂梁的端部相接，

其中，所述接触金属层与所述台面结构相接触并且所述接触金属层的接触面尺寸大于所述台面结构的顶面尺寸，并且

其中，所述钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅具有导电特性，

其中，所述台面结构与所述接触金属层一体形成或与所述第二主体区的轻掺杂层一体形成。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中所述隔离槽结构包括第二钝化层，其中所述第二钝化层内部嵌入有第二重掺杂多晶硅，所述第二重掺杂多晶硅具有导电特性。

3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中，所述第二主体区包括：

位于所述衬底层上的重掺杂层；以及

位于所述重掺杂层上的所述轻掺杂层，

其中，所述台面结构位于所述轻掺杂层上。

4.一种混频器，包括如权利要求1所述的肖特基二极管。

5.一种倍频器，包括如权利要求1所述的肖特基二极管。

6.一种制备肖特基二极管的方法，包括：

提供衬底层；

特征在于还包括：

在所述衬底层上形成第一结构和第二结构，其中所述第一结构与所述第二结构之间为隔离槽结构，所述第一结构包括第一主体区和从所述第一主体区延伸的悬臂梁，所述第二结构包括第二主体区；

在所述第二主体区上形成肖特基接触结构，所述肖特基接触结构包括：

台面结构，位于所述第二主体区上；

钝化层，位于所述第二主体区上并且包围所述台面结构，其中所述钝化层的厚度与所述台面结构的厚度相同；以及

接触金属层，位于所述台面结构上并与所述悬臂梁的端部相接，

其中，所述接触金属层与所述台面结构相接触并且所述接触金属层的接触面尺寸大于所述台面结构的顶面尺寸，并且

其中，所述钝化层内部嵌入有重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅具有导电特性，

其中，所述台面结构与所述接触金属层一体形成或与所述第二主体区的轻掺杂层一体形成。

7.根据权利要求6所述的制备肖特基二极管的方法，还包括在所述隔离槽结构中形成内部嵌入有第二重掺杂多晶硅的第二钝化层，所述第二重掺杂多晶硅具有导电特性。

8.根据权利要求6所述的制备肖特基二极管的方法，其中，在所述衬底层上形成所述第二结构包括：在所述衬底层上形成重掺杂层，以及在所述重掺杂层上形成所述轻掺杂层，从而形成所述第二主体区。

9.根据权利要求8所述的制备肖特基二极管的方法，其中，在所述台面结构与所轻掺杂层一体形成的情况下，在所述第二主体区上形成所述肖特基接触结构包括：

对所述轻掺杂层进行蚀刻以形成所述台面结构；

在所述台面结构周围形成所述钝化层；以及

在所述台面结构上形成所述接触金属层。

10.根据权利要求6所述的制备肖特基二极管的方法，其中，在所述台面结构与所接触金属层一体形成的情况下，在所述第二主体区上形成所述肖特基接触结构包括：

在所述第二主体区上形成钝化层；

对所述钝化层进行蚀刻以形成开口；

将所述台面结构与所述接触金属层一体形成，以使得所述台面结构填充在所述开口中。