[发明专利]一种提高半导体激光器小信号强度调制响应带宽的方法有效
| 申请号： | 202011005184.2 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112164981B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 迟杰文;李洵;赵佳 | 申请（专利权）人： | 山东大学;青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人： | 刘娜 |
| 地址： | 250013 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体激光器 信号 强度 调制 响应 带宽 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高半导体激光器小信号强度调制响应带宽的方法，所述半导体激光器从下而上依次包括：底部金属电极、衬底、有源区结构、光栅、顶部双金属电极，所述顶部双金属电极包括左端电极和右端电极，其特征在于，所述半导体激光器在使用时，左端电极和右端电极输入的调制信号是一对差分信号，且在左端电极和右端电极输入的调制信号之间引入延迟时间，延迟时间的取值范围为4.4-8.7ps，所述半导体激光器的腔长为550-900μm，所述半导体激光器的归一化光栅耦合系数的取值范围为3.3-4.2。
2.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器小信号强度调制响应带宽的方法，其特征在于，所述左端电极的长度占半导体激光器腔长的比例为0.4。
3.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器小信号强度调制响应带宽的方法，其特征在于，所述半导体激光器的左端面镀有高反膜，右端面镀有抗反膜。
4.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器小信号强度调制响应带宽的方法，其特征在于，所述有源区结构包括上下折射率分别限制层和应变多量子阱。
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