[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成第一介质层；

在第一介质层内形成第一导电层和位于第一导电层上的非晶化层，所述非晶化层的材料为非晶态的第一导电层的材料；

在第一介质层上和非晶化层上形成第二介质层；

在第二介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分非晶化层表面；

在第一开口底部的非晶化层内形成第二开口，所述第一开口在衬底上的投影面积小于所述第二开口在衬底上的投影面积，且所述第一开口在衬底上的投影位于第二开口在衬底上的投影范围内。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一介质层内形成第一导电层和位于第一导电层上的非晶化层之前，还包括：在第一介质层内形成初始第一导电层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电层和非晶化层的形成方法包括：对部分所述初始第一导电层进行非晶化处理，形成第一导电层和位于第一导电层上的非晶化层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对部分所述初始第一导电层进行非晶化处理的方法包括：对部分所述初始第一导电层进行等离子气体轰击处理，形成所述非晶化层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对部分所述初始第一导电层进行非晶化处理的方法包括：对部分所述初始第一导电层进行氧化处理形成氧化层；对所述氧化层进行还原处理形成非晶化层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氧化处理的工艺包括气体氧化工艺，所述气体氧化工艺的气体包括含氧气或臭氧的气体；所述还原处理的工艺包括气体还原工艺，所述气体还原工艺的气体包括含氢气的气体。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对部分所述初始第一导电层进行非晶化处理的方法包括：对部分所述初始第一导电层进行氮化处理形成氮化层；对所述氮化层进行还原处理形成非晶化层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述氮化处理的工艺包括气体氮化工艺，所述气体氮化工艺的气体包括含氮气的气体；所述还原处理的工艺包括气体还原工艺，所述气体还原工艺的气体包括含氢气的气体。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非晶化层的形成方法包括：去除部分所述初始第一导电层，形成第一导电层；在第一导电层上形成非晶化层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除部分所述初始第一导电层的工艺包括湿法刻蚀工艺。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在第一导电层上形成非晶化层的工艺包括选择性沉积工艺。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一导电层的形成方法包括：在第一介质层上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述第一介质层，直至暴露出衬底表面，在第一介质层内形成凹槽；在凹槽内形成过渡第一导电层；对所述过渡第一导电层进行第二退火处理，形成所述初始第一导电层。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非晶化层的厚度范围为：2纳米～10纳米。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成方法包括：在第二介质层上形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述第二介质层，直至暴露出非晶化层表面，在第二介质层内形成第一开口。