[发明专利]改善雪崩能力的超结终端结构及制造方法

权利要求书

1.改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，其特征在于：

所述方法包括以下步骤：

步骤1：在N+衬底上生长一层N-外延；

步骤2：在N-外延注入N型杂质，在终端区的注入尺寸为X3＞X2＞X1；

步骤3：在N-外延表面，通过Trench光刻板，刻蚀出深沟槽后生长P型外延，使之填充满深沟槽；进行CMP工艺，将深沟槽外的P型外延及N-外延一并去掉，形成N柱P柱相交替的超结结构；

步骤4：通过PW光刻板注入体区并退火形成PWELL区；

步骤5：淀积场氧层成并回刻，通过栅氧、多晶硅淀积回刻形成gate，再注入As或P，推阱形成N-source；

步骤6：淀积ILD并回刻，孔注，最后淀积金属并回刻，形成器件的最终结构。

2.根据权利要求1所述的改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，其特征在于：

步骤1中，外延N-的电阻率高于N+衬底。

3.根据权利要求2所述的改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，其特征在于：

步骤2中，通过JFET注入的方式注入N型杂质，注入剂量2e12 cm-2-5e12 cm-2，注入能量60kev-80kev。

4.根据权利要求3所述的改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，其特征在于：

步骤2中，X3在终端外围两个mesa中心位置，X2在终端外围第3、4 mesa中心位置，X1在cell mesa和终端第5个mesa的中心。

5.根据权利要求4所述的改善雪崩能力的超结终端结构制造方法，其特征在于：

步骤4中，通过PW光刻板注入体区并退火在cell及过渡区形成PWELL区。

6.如权利要求5所述的制造方法获得的改善雪崩能力的超结终端结构。