[发明专利]一种S掺杂Te空位型2H MoTe2 有效
| 申请号： | 202011005830.5 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114289037B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 安长华;王雅倩;姚爽 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | B01J27/057 | 分类号： | B01J27/057;B01J27/24;B01J35/10;B01J37/10;B82Y30/00;B82Y40/00;C25B11/091;C25B1/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 te 空位 mote base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片的制备方法，其片状结构有利于提高比表面积，暴露更多的活性位点，增强与H*的结合能力，能大幅提高电催化产氢性能，显著降低电催化析氢的过电位；
其特征在于，包括以下步骤：
(1)利用溶剂热法合成前驱物MoS2/掺氮碳布纳米片；
(2)利用一步原位拓扑转化法制备S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片高效复合电催化材料；
具体操作步骤如下：
(1)前驱物MoS2/掺氮碳布纳米片的制备：将MoO3纳米棒和L-半胱氨酸按照1∶3摩尔比溶于适量超纯水中，在磁力搅拌下充分溶解；溶解后的溶液转移到聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，然后放入NCC，在150-200℃下反应12h，自然冷却；所得MoS2/NCC纳米片用乙醇和超纯水洗涤，然后在60℃下真空干燥；
(2)S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片的制备：将前驱物MoS2/NCC和Te粉末按一定比例放入瓷舟中，在氢氩混合气下高温反应5-10h。
2.根据权利要求1所述一种S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片的制备方法获得的S掺杂Te空位的二维2H相MoTe2/掺氮碳布纳米片材料在大电流密度下电催化析氢方面的应用。
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