[发明专利]LPDDR测试方法、装置、可读存储介质及电子设备有效
申请号: | 202011005999.0 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112102875B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 孙成思;孙日欣;李振华;雷泰 | 申请(专利权)人: | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人: | 郑昱 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lpddr 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
1.一种LPDDR测试方法,其特征在于,包括步骤:
从待测试的LPDDR的每一第一预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据,并进行与数据写入过程对应的数据读取,将读取的数据与其对应的写入数据进行比较,得到第一比较结果;
从所述待测试的LPDDR的每一第二预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据,并进行与数据写入过程对应的数据读取,将读取的数据与其对应的写入数据进行比较,得到第二比较结果;
所述第一预设读写单元和所述第二预设读写单元不同;
根据所述第一比较结果和所述第二比较结果得到所述待测试的LPDDR的测试结果;
所述第一预设读写单元为行,所述第二预设读写单元为列;
所述从待测试的LPDDR的每一第一预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据包括:
从待测试的LPDDR的每一行的中间位置开始以预设长度为单位同时向两端写入数据直至所述行的每一列均写入数据;
所述从待测试的LPDDR的每一第一预设读写单元/第二预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据包括:
判断所述第一预设读写单元/第二预设读写单元对应的数据长度,若所述数据长度为奇数,则确定所述第一预设读写单元/第二预设读写单元的中间位置对应的存储单元,在所述中间位置对应的存储单元写入预设数据,并同时向所述中间位置对应的存储单元的两端写入数据;
若所述数据长度为偶数,则确定所述第一预设读写单元/第二预设读写单元的中间位置,并同时向所述中间位置的两端写入数据。
2.根据权利要求1所述的一种LPDDR测试方法,其特征在于,所述第一预设读写单元为列,所述第二预设读写单元为行;
所述从待测试的LPDDR的每一第一预设读写单元的中间位置开始同时向两端写入数据直至所述待测试的LPDDR的所有存储单元均写入数据包括:
从待测试的LPDDR的每一列的中间位置开始以预设长度为单位同时向两端写入数据直至所述列的每一行均写入数据。
3.根据权利要求2所述的一种LPDDR测试方法,其特征在于,所述预设长度为一个突发长度或一位。
4.根据权利要求1所述的一种LPDDR测试方法,其特征在于,根据所述第一预设读写单元/第二预设读写单元的编号从小到大的顺序依次写入数据或者根据所述第一预设读写单元/第二预设读写单元的编号从中间位置向两端依次写入数据。
5.根据权利要求1至2、4中任一项所述的一种LPDDR测试方法,其特征在于,在数据写入过程中,同时向两端写入的数据相反。
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