[发明专利]用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法

权利要求书

1.一种用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体样片，所述半导体样片包括层叠设置的牺牲层、支撑层和贯穿所述牺牲层和所述支撑层以暴露底部金属层表面凹坑的凹槽；

将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层；

于去除所述牺牲层后的半导体样片的表面黏贴胶带；

将所述胶带撕除以去除所述凹坑上方的所述支撑层，裸露出所述凹坑。

2.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液和硝酸溶液中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为氢氟酸溶液，所述氢氟酸溶液的浓度为40％-55％。

4.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，在将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层的步骤中，所述半导体样片的浸泡时间为20s-40s。

5.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，在将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层的步骤中，所述半导体样片的浸泡温度为20℃-25℃。

6.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述胶带为蓝膜。

7.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，在将所述半导体样片置于刻蚀溶液中进行浸泡以去除所述牺牲层步骤之后，在于去除所述牺牲层的半导体样片的表面黏贴胶带步骤之前，还包括以下步骤：

对浸泡后的半导体样片进行清洗；

对清洗后的所述半导体样片进行干燥。

8.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述半导体样片还包括用于图形化的掩膜层，所述掩膜层形成在顶部支撑层的表面，在将所述胶带撕除以去除所述凹坑上方的所述支撑层时，去除所述顶部支撑层表面的所述掩膜层。

9.根据权利要求1所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样品的制备方法，其特征在于，所述牺牲层材料为氧化硅。

10.根据权利要求9所述的用于显微镜的刻蚀凹坑半导体样片的制备方法，其特征在于，所述支撑层材料为氮化硅。