[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上密封区的挡墙和设置于所述衬底基板上显示区的配向膜；

所述挡墙位于密封区框胶粘结处的内侧，所述挡墙用于防止所述显示区的配向膜向所述框胶粘结处扩散；

所述挡墙包括第一挡墙及第二挡墙；所述第一挡墙包括多个间隔设置的第一阻挡件；所述第二挡墙位于所述第一挡墙与所述框胶粘结处之间，所述第二挡墙包括多个间隔设置的第二阻挡件；

所述第一挡墙用于对所述配向膜进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙用于对所述配向膜进行至少第二流动方向的阻挡，所述第一阻挡件和所述第二阻挡件均为片状结构的挡片，所述挡片的阻挡面用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡，作为所述第一阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向呈第一预设角度，作为所述第二阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向呈第二预设角度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，作为所述第一阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向平行，作为所述第二阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向垂直；其中，所述配向膜的涂布方向为从显示区指向密封区。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻挡件沿与配向膜的涂布方向垂直的第一直线依次间隔排列；所述第二阻挡件分为两列分别沿与配向膜的涂布方向垂直的第二直线和第三直线依次间隔排列，相邻两个第二阻挡件分别位于第二直线和第三直线上。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一预设角度大于0度且小于90度，所述第二预设角度大于0度且小于90度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板上形成有公共电极金属；所述公共电极金属上形成有栅绝缘层；所述栅绝缘层上形成有钝化层；所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区，所述挡墙设置于所述公共电极金属区上；所述密封区包括所述公共电极金属区。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阻挡件的高度小于所述第二阻挡件的高度，以使所述第一挡墙和所述第二挡墙形成坡度结构。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上密封区的挡墙和设置于所述衬底基板上显示区的配向膜；

所述挡墙位于密封区框胶粘结处的内侧，所述挡墙用于防止所述显示区的配向膜向所述框胶粘结处扩散；

所述挡墙包括第一挡墙及第二挡墙；所述第一挡墙包括多个间隔设置的第一阻挡件；所述第二挡墙位于所述第一挡墙与所述框胶粘结处之间，所述第二挡墙包括多个间隔设置的第二阻挡件；

所述第一挡墙用于对所述配向膜进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙用于对所述配向膜进行至少第二流动方向的阻挡，所述第一阻挡件和所述第二阻挡件均为三棱柱体，所述三棱柱体与所述衬底基板垂直的三个柱面均可用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡。

8.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上密封区的挡墙和设置于所述衬底基板上显示区的配向膜；其特征在于，所述阵列基板的制造方法包括：

在衬底基板上形成公共电极金属；

在所述公共电极金属上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成钝化层；

在公共电极金属区上设置挡墙，其中，所述公共电极金属对应的钝化层区域为公共电极金属区；所述挡墙包括第一挡墙及第二挡墙；所述第一挡墙包括多个间隔设置的第一阻挡件；所述第二挡墙位于所述第一挡墙与框胶粘结处之间，所述第二挡墙包括多个间隔设置的第二阻挡件；所述第一挡墙用于对所述配向膜进行至少第一流动方向的阻挡，所述第二挡墙用于对所述配向膜进行至少第二流动方向的阻挡，所述第一阻挡件和所述第二阻挡件均为片状结构的挡片，所述挡片的阻挡面用于提供对所述至少第一流动方向的阻挡和对所述至少第二流动方向的阻挡，作为所述第一阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向呈第一预设角度，作为所述第二阻挡件的挡片的阻挡面与配向膜的涂布方向呈第二预设角度。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的阵列基板。