[发明专利]一种过流保护电路

权利要求书

1.一种过流保护电路，用于实现功率MOSFET的过流保护，至少包括电压采样电路、比较器(Comp1)和上拉电阻(R4)，其中，所述比较器(Comp1)的正输入端与所述电压采样电路连接，负输入端接入参考电压(Vref)，并且所述比较器(Comp1)的输出端与所述上拉电阻(R4)连接，其特征在于，

在所述电压采样电路的第一分压电阻(R1)和第二分压电阻(R2)之间连接有热敏电阻R-NTC，其中，所述热敏电阻R-NTC与第二分压电阻(R2)并联且与所述第一分压电阻(R1)串联分压；

所述过流保护电路还包括用于转移热量的吸收器件，其中，所述吸收器件与所述热敏电阻R-NTC连接；

所述吸收器件至少包括PTC电阻，其中，所述PTC电阻通过连接元件与所述热敏电阻R-NTC串联，其中，所述连接元件还分别与所述第一分压电阻(R1)和温度补偿组件连接；

在所述温度小于第一阈值的情况下，所述连接元件连通，使得所述温度补偿组件与所述PTC电阻、所述热敏电阻R-NTC并联后与所述第一分压电阻(R1)串联，从而对串联接入的所述PTC电阻带来的干扰进行补偿。

2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述热敏电阻R-NTC的温度特性与所述功率MOSFET的内阻的温度特性相反，其中，在所述功率MOSFET温度升高使得其内阻变大的情况下，所述热敏电阻R-NTC的阻值变小，使得所述热敏电阻R-NTC与第二分压电阻(R2)并联后的阻值变小，其中，所述热敏电阻R-NTC与第二分压电阻(R2)并联后与所述第一分压电阻(R1)串联以降低形成分压后的电压值，从而避免在高温的情况下所述过流保护点降低。

3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，在所述功率MOSFET温度降低使得其内阻变小的情况下，所述热敏电阻R-NTC的阻值变大，使得所述热敏电阻R-NTC与第二分压电阻(R2)并联后的阻值变大，其中，所述热敏电阻R-NTC与第二分压电阻(R2)并联后与所述第一分压电阻(R1)串联以提高形成分压后的电压值，从而避免在低温的情况下所述过流保护点升高。

4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，在所述比较器(Comp1)的正输入端于输出端之间并联有能够形成滞环电路以避免所述过流保护电路在过流保护点附近发生振荡的第三电阻(R3)。

5.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于，所述第三电阻(R3)为高阻抗电阻，其中，在所述采样电路输入至所述比较器(Comp1)的正输入端的电压未超过所述参考电压(Vref)的情况下，所述比较器(Comp1)输出为低阻抗使得所述第三电阻(R3)、热敏电阻R-NTC、第二分压电阻(R2)彼此并联，从而使得所述第三电阻(R3)、热敏电阻R-NTC、第二分压电阻(R2)并联的电阻值与所述热敏电阻R-NTC和第二分压电阻(R2)并联的电阻值相差较小以起到偏置的作用。

6.根据权利要求5所述的过流保护电路，其特征在于，在所述采样电路输入至所述比较器(Comp1)的正输入端的电压超过所述参考电压(Vref)的情况下，所述比较器(Comp1)输出为高阻抗使得所述第三电阻(R3)与所述上拉电阻(R4)串联后与所述第一分压电阻(R1)并联，从而使得所述上拉电阻(R4)的上拉电压对所述第一分压电阻(R1)的电压影响较小以起到偏置作用。

7.根据权利要求6所述的过流保护电路，其特征在于，在温度升高的情况下，所述PTC电阻的阻值升高使得所述热敏电阻R-NTC的热量部分转移至所述PTC电阻，其中，在所述温度超过第一阈值的情况下，所述PTC电阻的阻值增大以使得所述PTC电阻所在支路处于开路状态，从而实现所述热敏电阻R-NTC的过热保护。