[发明专利]显示母板、显示母板的制备方法和对位方法在审
申请号: | 202011009790.1 | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112117316A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 李硕;石领;何源 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L23/544;G03F9/00 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 母板 制备 方法 对位 | ||
1.一种显示母板,其特征在于,所述显示母板包括显示区和围绕所述显示区的周边区,所述周边区包括对位标记区,所述显示母板包括:
阵列基板;
对位标记,设于所述阵列基板且位于所述对位标记区;
彩膜层,包括滤光层和遮光层,至少部分所述遮光层位于所述对位标记区;
其中,所述遮光层位于所述对位标记区的部分包括第一遮光部和第二遮光部;所述第一遮光部覆盖所述对位标记,所述第二遮光部覆盖所述对位标记区内所述对位标记以外的区域;
其中,所述第一遮光部背离所述阵列基板的表面和所述第二遮光部背离所述阵列基板的表面不在同一平面。
2.根据权利要求1所述的显示母板,其特征在于,所述显示母板还包括:
有机层,设于所述阵列基板且位于所述对位标记区,所述遮光层位于所述对位标记区的部分设于所述有机层背离所述阵列基板的一侧;
其中,所述对位标记形成于所述有机层。
3.根据权利要求2所述的显示母板,其特征在于,所述有机层为一层或多层。
4.根据权利要求3所述的显示母板,其特征在于,所述显示母板还包括所述显示区的有机发光器件,有机发光器件包括:
第一电极,设于所述阵列基板;
像素界定层,设于所述第一电极背离所述阵列基板的一侧,所述像素界定层具有开口区,所述开口区露出所述第一电极;
有机发光功能层,位于所述第一电极背离所述阵列基板的一侧,且位于所述开口区;
第二电极,设于所述有机发光功能层背离所述阵列基板的一侧;
其中,所述有机层与所述像素界定层同层设置。
5.根据权利要求3所述的显示母板,其特征在于,所述显示母板还包括设于所述显示区的触控功能层,所述触控功能层位于所述阵列基板和所述遮光层之间,包括:
第一触控电极层,设于所述阵列基板上;
介电层,设于所述第一触控电极层背离所述阵列基板的一侧;
第二触控电极层,设于所述介电层背离所述第一触控电极层的一侧,且位于所述遮光层靠近所述阵列基板的一侧;
保护层,设于所述第二触控电极层背离所述介电层的一侧;
其中,所述有机层与所述保护层同层设置。
6.根据权利要求2所述的显示母板,其特征在于,所述有机层具有在所述阵列基板厚度方向上贯穿的镂空部,所述镂空部组成所述对位标记;
其中,所述遮光层的第一遮光部覆盖所述有机层的镂空部,所述第二遮光部覆盖所述有机层除过所述镂空部以外的部分。
7.根据权利要求2所述的显示母板,其特征在于,所述有机层具有在所述阵列基板厚度方向上贯穿的镂空部,所述有机层除过所述镂空部以外的部分组成所述对位标记;
其中,所述遮光层的第一遮光部覆盖所述有机层除过所述镂空部以外的部分,所述第二遮光部覆盖所述有机层的镂空部。
8.根据权利要求2所述的显示母板,其特征在于,所述有机层的厚度介于1.5μm-2.5μm之间。
9.一种显示母板的制备方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板划分有显示区和围绕所述显示区的周边区,所述周边区包括对位标记区;
在所述阵列基板的对位标记区形成对位标记;
在所述阵列基板上形成彩膜层,所述彩膜层包括滤光层和遮光层,至少部分所述遮光层形成于所述对位标记区;
其中,形成所述遮光层时,使所述遮光层形成位于所述对位标记区的部分包括第一遮光部和第二遮光部;使所述第一遮光部覆盖所述对位标记,使所述第二遮光部覆盖所述对位标记区内所述对位标记以外的区域;其中,形成所述第一遮光部和所述第二遮光部时,使所述第一遮光部背离所述阵列基板的表面和所述第二遮光部背离所述阵列基板的表面不在同一平面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的