[发明专利]一种像素结构以及显示装置在审
申请号: | 202011009882.X | 申请日: | 2020-09-23 |
公开(公告)号: | CN112117317A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 高健;赵德江;潘小杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 王刚 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 以及 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种像素结构以及显示装置,像素结构包括至少一个子像素,所述子像素包括至少两个像素岛;在同一所述子像素中,至少一对相邻所述像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错。在本实施例提供的像素结构中,子像素通过细分像素岛,能够提升显示装置的分辨力和解析度;并且在同一子像素中,至少一对相邻像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错,可以增加像素岛边缘部分光覆盖的面积,从而实现连续发光,有效地消除摩尔纹,保证显示效果。
技术领域
本申请实施例涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种像素结构以及显示装置。
背景技术
3D(three-dimensional)显示技术的主要原理是使观看者的左眼和右眼分别接收具有差异的图像,即左眼视图和右眼视图,左眼视图和右眼视图经过大脑的分析后整合,使观看者感知画面物体的深度,进而产生立体感。3D显示技术提升了显示效果,尤其是裸眼3D技术,在实现3D显示效果的同时摆脱了3D眼镜的束缚,进一步提升观看者的观看体验。
为了实现裸眼3D技术,显示装置通常采用细分像素结构的设计。例如,在相关技术提供的一种3D显示装置中,其包括多个组成像素阵列的像素结构,每个像素结构包括红R、绿G和蓝B三个用于色彩基本色的子像素,每个子像素均包括至少两个像素岛,每个像素岛具有独立的薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行控制,可以独立地发光。显示装置通过高频信号驱动电路实现子像素内不同像素岛显示的切换,从而交替显示左眼视图和右眼视图,满足3D显示的需求。
然而,在上述显示装置的子像素内,相邻像素岛的发光区域在相邻位置存在间隙,且间隙两侧边缘为相互平行的直线,如此会导致子像素发光不连续,容易产生摩尔纹,影响显示效果。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种像素结构以及显示装置,以改善显示效果。
基于上述目的,第一方面,本申请实施例提供一种像素结构,包括至少一个子像素,所述子像素包括至少两个像素岛;在同一所述子像素中,至少一对相邻所述像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错。
在本实施例提供的像素结构中,子像素通过细分像素岛,能够提升分辨力和解析度;并且在同一子像素中,至少一对相邻像素岛的发光区域在相邻位置边缘交错,因此可以增加像素岛边缘部分光覆盖的面积,从而实现连续发光,有效地消除摩尔纹,保证显示效果。
在一种可能的实施方式中,所述子像素包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光层;所述第一电极层包括与所述像素岛一一对应的分离的像素岛电极,至少一对相邻所述像素岛电极在相邻位置设置有交错结构,所述交错结构使相邻所述像素岛的所述发光区域在相邻位置边缘交错。
在一种可能的实施方式中,所述交错结构包括设置于相邻所述像素岛电极中一方的凸出部,以及设置于另一方的凹陷部;所述凸出部自所述像素岛电极的边缘朝向相邻所述像素岛电极的所述凹陷部外凸,所述凹陷部自所述像素岛电极的边缘内凹以容纳伸入的所述凸出部。
在一种可能的实施方式中,所述凸出部和所述凹陷部在相邻所述像素岛电极的相邻边缘设置有多个;所述凹陷部与所述凸出部一一对应。
在一种可能的实施方式中,所述凸出部和所述凹陷部为相互配合的矩形、正方形、三角形或弧形。
在一种可能的实施方式中,所述交错结构包括设置于相邻所述像素岛电极中一方的第一凸起,以及设置于另一方的第二凸起;所述第一凸起和所述第二凸起错开配合,所述第一凸起伸入所述第二凸起的侧边空间;所述第二凸起伸入所述第一凸起的侧边空间。
在一种可能的实施方式中,所述第一凸起和所述第二凸起结构相同,均为矩形、正方形、三角形或弧形。
在一种可能的实施方式中,所述第一电极层为阳极电极层,所述第二电极层为所述阴极电极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的