[发明专利]解决管芯高度差异的导热层的3D构造

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

封装衬底上的第一微电子器件和第二微电子器件，其中第一微电子器件具有与第二微电子器件的顶表面基本上共面的顶表面；

封装衬底上的第三微电子器件，其中第三微电子器件具有高于第一和第二微电子器件的顶表面而定位的顶表面；

第一和第二微电子器件上的第一传导层；

第三微电子器件上的第二传导层，其中第二传导层具有比第一传导层的厚度更小的厚度，并且其中第二传导层具有与第一传导层的顶表面基本上共面的顶表面；和

在第一传导层上的第一热界面材料（TIM）和在第二传导层上的第二TIM。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一和第二传导层由铜、银、氮化硼或石墨烯组成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装，其中所述第一微电子器件与所述第二微电子器件相邻，并且其中所述第三微电子器件与所述第二微电子器件相邻。

4.根据权利要求1或2所述的半导体封装，其中所述第一微电子器件包括第一底部管芯上的多个第一顶部管芯，其中所述第二微电子器件包括第二底部管芯上的多个第二顶部管芯，并且其中所述第三微电子器件由管芯、管芯堆叠、高带宽存储器（HBM）管芯或HBM管芯堆叠组成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体封装，其中所述第一TIM直接在所述第一传导层的顶表面上，其中所述第二TIM直接在所述第二传导层的顶表面上，其中所述第一TIM的厚度基本上等于所述第二TIM的厚度，其中所述第一传导层的宽度等于或大于所述第一和第二微电子器件的宽度，并且其中所述第二传导层的宽度等于所述第三微电子器件的宽度。

6.根据权利要求4所述的半导体封装，进一步包括：

在第一底部管芯的顶表面和第二底部管芯的顶表面上的包封层，其中包封层具有与多个第一和第二顶部管芯的顶表面基本上共面的顶表面，其中第一传导层直接在包封层和多个第一和第二顶部管芯的顶表面上，并且其中第二传导层直接在第三微电子器件的顶表面上；

封装衬底中的多个桥，其中多个桥通信地耦合第一、第二和第三微电子器件；

粘合剂层，将第一和第二微电子器件直接耦合到封装衬底上；

多个焊球，将第三微电子器件直接耦合到封装衬底上；

第一和第二底部管芯中的多个互连；和

集成散热器（IHS），直接在所述第一TIM的顶表面和所述第二TIM的顶表面上，其中所述第一TIM直接位于所述第一传导层和所述IHS之间，并且其中所述第二TIM直接位于所述第二传导层和所述IHS之间。

7.根据权利要求1或2所述的半导体封装，其中所述第一传导层由共享的第一传导层或分离的第一传导层组成，其中所述共享的第一传导层覆盖所述第一和第二微电子器件这二者，或者所述分离的第一传导层具有仅覆盖所述第一微电子器件的第一部分和仅覆盖所述第二微电子器件的第二部分，其中所述第一TIM由共享的第一TIM或分离的第一TIM组成，并且其中所述共享的第一TIM覆盖第一和第二微电子器件这二者，或者所述分离的第一TIM具有仅覆盖第一微电子器件的第一部分和仅覆盖第二微电子器件的第二部分。

8.根据权利要求1或2所述的半导体封装，其中所述第三微电子器件的厚度大于所述第一和第二微电子器件的厚度。

9.根据权利要求1或2所述的半导体封装，进一步包括耦合到所述第一传导层的底表面的周界区的多个传导嵌块，其中所述多个传导嵌块由一种或多种不同形状组成，并且其中所述一种或多种不同形状的多个传导嵌块包括矩形传导嵌块、L形传导嵌块、Z形传导嵌块、圆形传导嵌块或梯形传导嵌块。