[发明专利]微型发光二极管外延片的生长方法在审
| 申请号： | 202011012272.5 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112310251A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;C23C16/455;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
1.一种微型发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型层、有源层和P型层；
其特征在于，在所述衬底上生长N型层包括：
在所述衬底上生长多个周期交替生长的第一N型层和第二N型层；
其中，向反应室内通入氢气和硅烷，在高温条件下生长所述第一N型层，所述第一N型层为掺Si的GaN层；
停止向反应室内通入氢气和硅烷，同时降低反应室内温度，在所述第一N型层上生长所述第二N型层，所述第二N型层为不掺杂的GaN层。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，生长所述第二N型层时，反应室的温度降低至1030～1080℃。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型层的生长速率大于所述第二N型层的生长速率。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型层的生长温度为1100～1150℃。
5.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，沿所述外延片的生长方向，多个所述第一N型层的生长温度均逐层减小，多个所述第二N型层的生长温度逐层减小。
6.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型层的Si/Ga比为0.15～0.25。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，沿所述外延片的生长方向，多个所述第一N型层的Si/Ga比逐层减小。
8.根据权利要求1至7任一项所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型层的厚度大于所述第二N型层的厚度。
9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于，所述第一N型层的厚度为100～300nm。
10.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于，所述第二N型层的厚度为10～30nm。
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