[发明专利]一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺

说明书

本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺，背面激光开槽后，采用热扩散方式，在背极制备硼重掺层，背极制备硼重掺层制备过程中，首先以10slm的流量通N2，升温至900℃，并等待5min；然后在保持氮气流量不变到的情况下在氮气中携带BBr3，BBr3流量为200‑400sccm，并且在通入BBr3同时通入150‑300sccm的O2，由900‑960℃进行等速率变温沉积，时间5‑10min；待温度升至960℃后，通入6‑10slm的N2、4‑6slm的O2，进行高温推进，时间3‑5min；最后通入10slm的N2，由960‑840℃进行降温退舟。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产领域。

背景技术

PERC以及PERL结构的电池已经拥有相对完善的表面钝化结构，不过将背面的接触范围限制在开孔区域，除了增加了工艺的复杂度外，开孔的过程采用不同的工艺还会对周围的硅材料造成不同程度的损伤，这也额外的增加了金属接触区域的复合。由于开孔限制了载流子的传输路径，使之偏离垂直于接触面的最短路径并拥堵在开口处，增大了填充因子的损失。有没有一种办法即能降低表面复合，又无需开孔呢。这就需要提到近几年呼声高涨的钝化接触（Passivated Contact）技术。

背面钝化接触太阳能电池的优点包括（1）优良的背面钝化效果，彻底根除了背面金属与硅的直接接触，提高开路电压，而这被认为是目前太阳能电池主要的复合损失，而这是传统铝背场和PERC结构都无法避免的；（2）无需复杂的钝化层开口工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：如何进一步降低金属化区域接触电阻，同时钝化背电极。

本发明所采用的技术方案是：一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺，背面激光开槽后，采用热扩散方式，在背极制备硼重掺层，背极制备硼重掺层制备过程中，首先以10slm的流量通N2，升温至900℃，并等待5min；然后在保持氮气流量不变到的情况下在氮气中携带BBr3，BBr3流量为200-400sccm，并且在通入BBr3同时通入150-300sccm的O2，由900-960℃进行等速率变温沉积，时间5-10min；待温度升至960℃后，通入6-10slm的N2、4-6slm的O2，进行高温推进，时间3-5min；最后通入10slm的N2，由960-840℃进行降温退舟。

在背面激光开槽前的工艺为背面钝化及镀减反膜，在硅片背面形成氮化硅膜。

本发明的有益效果是：本发明将氮化硅膜作为掩膜层，采用热扩散方式，在背极制备硼重掺层，不仅降低金属区接触电阻，同时钝化背金属接触区域。通过钝化背金属接触区域，减少金属化区域复合电流，提升电池转换效率0.3-0.5%。

附图说明

图1是本发明新型晶硅电池背面示意图。

具体实施方式

本发明提出一种新型P型晶硅电池背接触钝化制备工艺，由图1所示，通过在背极制备硼重掺层，不仅降低金属区接触电阻，同时钝化背金属接触区域。具体的技术方案如下：

1.清洗制绒，采用现有技术。

2.扩散制结，采用现有技术。

3.去PSG及背刻蚀，采用现有技术。

4.高温氧化，采用现有技术。

5.激光掺杂，采用现有技术。

6.正面减反膜，采用现有技术。

7.背面钝化及减反膜，采用现有技术在背面制备氮化硅膜。

8.背面激光开槽，采用现有技术。。