[发明专利]一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件

权利要求书

1.一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；其特征在于，所述栅跑道和所述源跑道之间集成了两个或多个反向串联的多晶硅pn二极管结构，作为器件的栅保护结构。

2.根据权利要求1所述的集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述栅保护结构从下至上依次包括漏极、n+衬底、n+型缓冲层、n型漂移区、p+区、场氧层、多晶硅、层间介质、欧姆接触金属、源极跑道金属、栅极跑道金属以及钝化层。

3.根据权利要求2所述的集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述多晶硅包括不同掺杂的三部分，分别为第一高掺杂的n+型区、n/p+/n掺杂区以及第二高掺杂的n+型区，以形成np+与p+n反串联的两个pn二极管。

4.根据权利要求3所述的集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，多晶硅的所述第一高掺杂的n+型区与所述第二高掺杂的n+型区分别与所述栅极跑道金属和所述源极跑道金属形成欧姆接触的低电阻连接，源极跑道金属同时也与所述p+主环上的欧姆接触金属连接。

5.根据权利要求1所述的集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述有源区从下至上依次包括漏极、n+衬底、n+型缓冲层、n型漂移区、n型JFET区、p阱、p+区、n+区、栅介质、多晶硅栅、层间介质、源欧姆接触以及源极压块金属。

6.根据权利要求1所述的集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述源跑道的电极与所述有源区的源极电联通，所述栅跑道的电极与有源区的栅极电联通。

7.根据权利要求1所述的集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述栅跑道和所述源跑道间通过钝化层隔离。

8.一种集成栅保护结构的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件从边缘向中心依次包括划片槽区和终端区、p+主环、在所述p+主环上的栅跑道和源跑道、由多个原胞结构并联组成的有源区以及所述有源区上的源和栅的压块金属；其特征在于，所述p+主环和所述栅跑道同时也存在于SiC MOSFET器件的中间区域，栅跑道与源压块金属之间集成了两个或多个反向串联的多晶硅pn二极管结构，作为器件的栅保护结构。