[发明专利]微型发光芯片组件及其制作方法、微型发光芯片转移方法有效
申请号: | 202011013961.8 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN114256400B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 蒲洋;洪温振 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/00;H01L21/683 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 李发兵 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光 芯片 组件 及其 制作方法 转移 方法 | ||
本发明涉及一种微型发光芯片组件及其制作方法、微型发光芯片转移方法。在各微型发光芯片的电极上依次形成提升各电极外延高度的吸水膨胀的薄膜层以及支撑体,在芯片转移过程中可保证各微型发光芯片的电极借助薄膜层和支撑体与粘附胶层形成可靠的连接,提升芯片转移的可靠性和成功率;各薄膜层吸水膨胀后与电极之间的接触面积变小以形成弱化结构,这样被拾取的微型发光芯片的电极可直接与薄膜层脱离,从而可省略对粘附胶层通过光或热的方式进行解粘处理的步骤,简化了微型发光芯片转移工艺,并提升了微型发光芯片转移的便捷性和转移效率,同时可缩短显示背板的制作周期,降低制作成本。
技术领域
本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种微型发光芯片组件及其制作方法、微型发光芯片转移方法。
背景技术
目前,micro-LED(micro-Light Emitting Diode,微型发光二极管)面临的一个关键技术就是要通过巨量转移将micro-LED芯片转移到显示背板上。相关技术中,一般会通过在第一临时基板上设置可解粘的胶层,通过该可解粘胶层通过粘附将micro-LED芯片从生长基板上转移至第一临时基板,再使用第二临时基板将micro-LED芯片从第一临时基板转移至显示背板。在这个过程中,第一临时基板设置的胶层往往存在厚度不均的情况,导致生长基板与第一暂态基板贴合时,生长基板上不同位置的micro-LED芯片的电极与第一临时基板上的贴合程度不同,例如可能会存在可能由于某些位置胶材较薄,同时micro-LED芯片的电极高度有限,导致micro-LED芯片未能与胶层形成可靠的粘接转移失败,导致芯片的转移成功率低。
另外,因第一临时基板上的胶层对micro-LED芯片粘附力强,需要对第一临时基板上的胶层通过光或热的方式进行解粘,才能实现将micro-LED芯片转移到第二临时基板,使用这种LED芯片转移方法工艺较为复杂,且转移效率低。
因此,如何提升LED芯片转移的成功率,以及如何实现LED芯片更为便捷、高效的转移是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足,本申请的目的在于提供一种微型发光芯片组件及其制作方法、微型发光芯片转移方法,旨在解决相关技术中,LED芯片的转移存在转移成功率低,转移工艺比较复杂、效率低的问题。
一种微型发光芯片组件,包括:
第一基板;
在所述第一基板的正面上形成的多个微型发光芯片,所述多个微型发光芯片的电极远离所述第一基板的正面;
在各所述微型发光芯片的电极上形成的相互独立的薄膜层,所述薄膜层具有吸水膨胀特性;
在各所述薄膜层上形成的相互独立的支撑体。
提供的上述微型发光芯片组件在芯片转移过程中,第一基板与第二基板上形成有粘附胶层的一面压合后可使得各支撑体嵌入粘附胶层,从而可保证各微型发光芯片的电极借助薄膜层和支撑体与粘附胶层形成可靠的连接,避免微型发光芯片的电极与粘附胶层不能形成可靠连接而导致转移失败的情况发生,提升芯片转移的可靠性和成功率;另外,可将第一基板与微型发光芯片分离后置于吸水环境中,各薄膜层吸水膨胀,膨胀过程中使得薄膜层与电极之间的接触面积变小,从而使得二者之间的结合力变小以形成弱化结构,这样在从第二基板上拾取微型发光芯片时,第二基板上被拾取的微型发光芯片的电极可直接与薄膜层脱离,从而可省略对第二基板上的粘附胶层通过光或热的方式进行解粘处理的步骤,可简化微型发光芯片转移工艺,并提升微型发光芯片转移的便捷性和转移效率。
一种如上所述的微型发光芯片组件的制作方法,包括:
在所述第一基板上的各微型发光芯片的电极上分别形成相互独立的薄膜层,所述薄膜层具有吸水膨胀特性;
在各所述电极的所述薄膜层上形成相互独立的支撑体。
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