[发明专利]一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法

权利要求书

1.一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于，具体步骤如下：

将导电基底置于含有硒离子的电解液溶液体系中，进行真空电化学沉积得到硒化物半导体；其中电解液溶液体系中还含有铟离子、镓离子、铜离子、银离子、锌离子、锡离子、锑离子、铋离子、锗离子、硅离子、铅离子中的一种或多种，电解液溶液体系中还含有络合剂、电解质和电解液。

2.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：真空电化学沉积溶液体系的pH值为0.3~3，温度为10~40℃，真空气压为8×10^-3~80kPa，真空电化学沉积工作电极电位相比于SCE为-1.2~0.1V，真空化学电沉积时间为10~60min。

3.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：络合剂为柠檬酸钠、硫氰化钾、焦磷酸钾、柠檬酸、乙二胺四乙酸、氨三乙酸、羟基亚乙基二膦酸、酒石酸、氨基磺酸、氰化钾、氟化氨和乙二胺中的一种或多种；络合剂总摩尔浓度为0.01~1mol/L。

4.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：电解质为氯化钠、硫酸钠、硝酸钠、氯化钾、硫酸钾、硝酸钾、氯化铵、氯化锂、硫酸锂、硝酸锂中的两种或两种以上；电解质总摩尔浓度为0.01~1mol/L。

5.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：硒化物半导体的前驱体离子总浓度不高于0.45mol/L且硒离子浓度为0.01~0.30mol/L。

6.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：电解液为水溶液、有机溶液或离子液体。

7.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：真空电化学沉积为三电极体系：对电极为铂电极或石墨电极，参比电极为氢电极、饱和甘汞电极或氯化银电极，工作电极为固定导电基底的铂电极，工作电极与对电极的距离为2~3cm。

8.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：硒化物半导体厚度为0.01~5μm。

9.根据权利要求1所述真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，其特征在于：导电基底为镀Mo钠钙玻璃、ZAO玻璃、ATO玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃、不锈钢箔、Mo箔、Al箔、Cu箔、Au箔、Ti箔或镀有导电层的PI膜。