[发明专利]一种提升碲化镉电池稳定性的方法有效
| 申请号： | 202011014327.6 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN111969084B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;潘锦功;傅干华;蒋猛;彭寿 | 申请（专利权）人： | 成都中建材光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人： | 李华;温黎娟 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 碲化镉 电池 稳定性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提升碲化镉电池稳定性的方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1碲化镉太阳能组件经过层压及接线盒安装；
S2短接碲化镉太阳能组件的电池的正负极端子；
S3使用白色激光照射组件照射碲化镉太阳能组件；
步骤S3中的白色激光为红绿蓝三种基色激光合成；
步骤S3中的光辐射强度为1200W/㎡-1500W/㎡；
步骤S3中的照射时间为30s-60s；
步骤S3中的辐射面积为2m*2m；
所述碲化镉太阳能组件包括玻璃衬底层、TCO层、窗口层、吸收层、金属背接触层；
所述金属背接触层为铜背接触层。
2.根据权利要求1所述的提升碲化镉电池稳定性的方法，其特征在于：所述窗口层为CdS窗口层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
