[发明专利]污染物检测工具及相关方法

权利要求书

1.一种污染物检测方法，其包括：

将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以在所述晶片的表面上形成氧化物；

将所述氧化物暴露于蚀刻剂以去除所述氧化物并将所述一或多种污染物留在所述晶片的所述表面上；及

确定所述一或多种污染物的组成。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于微滴包括形成包括所述氧化剂的所述微滴的气溶胶并将所述晶片暴露于所述气溶胶。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将包含一或多种污染物的晶片暴露于微滴包括用雾化器形成包括过氧化氢的微滴的气溶胶。

4.根据权利要求3所述的方法，其中用雾化器形成包括过氧化氢的微滴的气溶胶包括用包括氩气及氮气中的一或多者的载气形成所述气溶胶。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以形成氧化物包括形成所述氧化物以使其具有在从约到约的范围内的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴包括将所述晶片暴露于选自由以下各者组成的群组的一或多种材料：过氧化氢、水、氨、硝酸、硫酸、高氯酸及氢氟酸。

7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴包括将所述晶片暴露于针对每一平方厘米的所述晶片从约0.1μL的所述氧化剂到约0.2μL的所述氧化剂。

8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将所述氧化物暴露于蚀刻剂包括将所述氧化物暴露于包括氟化氢的蒸气。

9.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中确定所述一或多种污染物的组成包括将所述晶片暴露于经配制以溶解所述一或多种污染物的扫描溶液。

10.根据权利要求9所述的方法，其中将所述晶片暴露于扫描溶液包括使所述晶片的基本上所有表面与所述扫描溶液接触。

11.根据权利要求9所述的方法，其中将所述晶片暴露于扫描溶液包括将所述扫描溶液的液滴放置在所述晶片上并旋转所述晶片。

12.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述一或多种污染物的组成包括通过电感耦合等离子体质谱法分析所述扫描溶液的所述液滴。

13.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法，其中将包括一或多种污染物的晶片暴露于氧化剂的微滴以在所述晶片的表面上形成氧化物包括将包括硅的晶片暴露于所述氧化剂的所述微滴以在所述晶片的所述表面上形成二氧化硅。

14.一种检测至少一种污染物的方法，其包括：

雾化氧化剂以形成气溶胶；

将晶片暴露于所述气溶胶以在所述晶片的表面上形成氧化物；

将所述氧化物暴露于蚀刻剂以去除所述氧化物；

使所述晶片的表面与扫描溶液的至少一个液滴接触以将材料溶解在所述至少一个液滴中；及

分析所述材料的所述至少一个液滴。

15.根据权利要求14所述的方法，其中雾化氧化剂包括雾化包括从约1重量％到约35重量％的过氧化氢的溶液。

16.根据权利要求14所述的方法，其中雾化氧化剂以形成气溶胶并且将晶片暴露于所述气溶胶以在所述晶片的表面上形成氧化物包括用从约10μL/min到约400μL/min的所述氧化剂形成所述气溶胶。