[发明专利]一种新型P型晶硅TOPCon电池结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层、硼掺杂氧化硅层、二氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：氮化硅层的厚度为70-80nm，折射率为2.1-2.3。

3.根据权利要求2所述的一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：硼掺杂氧化硅层的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求3所述的一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，其特征在于：二氧化硅层的厚度为3-5nm，折射率为1.5-1.7。

5.一种权利要求1所述的新型P型晶硅TOPCon电池结构的制备工艺，其特征在于：该P型晶硅TOPCon电池背面的制备工艺为

步骤一、采用PECVD的方式，沉积二氧化硅层，氧源为笑气，压力为1800-2000mTorr,温度450-500℃，功率为5000-8000W,脉冲开关比为1:20，所通笑气流量为4000-8000sccm,时间为50-100s；；

步骤二、采用PECVD的方式，压力为1500-2000mTorr,温度450-500℃，功率为10000-12000W,脉冲开关比为1:16，通SiH₄/氮气O为2-4,时间为400-800s，采用硼扩散方式，首先以25slm的流量通氮气，升温至900℃，并等待8min，然后分别通入25slm的氮气、200-400sccm的三溴化硼、150-300sccm的氧气，由900-960℃进行变温沉积，时间5-10min，接着，待温度升至960℃后，通入6-10slm的氮气、4-6slm的氧气，进行高温推进，时间3-5min；最后通入10slm的氮气，由960-840℃进行降温退舟，掺杂后氧化硅中硼浓度为3x10²¹-5x10²¹/cm^-3；

步骤三、背面清洗，清洗边缘与背面部分BSG，使用体积浓度为49%的HF与水配置成1%体积浓度的混合液，反应时间为0.5min；

步骤四、采用PECVD的方式，沉积时压力为1000-2000mTorr,温度450-500℃，功率为11000-13000W,脉冲开关比为1:12，通SiH₄/NH₃比为1/10至1/4,时间为800-1200s。