[发明专利]用于探测混合结合器件的互连的选择性凹陷在审
| 申请号： | 202011015432.1 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112908986A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | B·K·米勒;A·埃尔舍比尼;M·科布林斯基;J·斯万;S·利夫;P·塔达永 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/528;H01L21/98;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑瑾彤;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 探测 混合 结合 器件 互连 选择性 凹陷 | ||
1.一种集成电路（IC）器件，其包括：
第一组件，其包括第一电介质以及在第一电介质内的多个相邻的第一互连结构；以及
第二组件，其包括第二电介质以及在第二电介质内的多个相邻的第二互连结构，其中，第二互连结构中的第一个互连结构与第一互连结构中的第一个互连结构在第一和第二组件之间的结合界面处直接接触，
并且其中，第一互连结构中的第二个互连结构缩进成距结合界面的平面一定距离。
2.根据权利要求1所述的IC器件，其中，第一互连结构中的第二个互连结构从第二电介质或第二互连结构中的第二个互连结构的相对表面缩进。
3.根据权利要求2所述的IC器件，其中，在第一互连结构中的第二个互连结构的自由表面与第二电介质或第二互连结构中的第二个互连结构的相对的自由表面之间存在空隙。
4.根据权利要求3所述的IC器件，其中，第一互连结构中的第二个互连结构的自由表面具有至少1 μm的z高度变化。
5.根据权利要求2所述的IC器件，其中，第一互连结构中的第二个互连结构从第二互连结构中的第二个互连结构的相对表面缩进，并且其中，第一互连结构中的第二个互连结构从结合界面的平面缩进第二距离。
6.根据权利要求5所述的IC器件，其中，第一互连结构中的第二个互连结构的表面沉陷远离结合界面的平面。
7.根据权利要求6所述的IC器件，其中，第二互连结构中的第二个互连结构的表面也沉陷远离结合界面的平面。
8.根据权利要求1至5中的任一项所述的IC器件，其中，所述距离为至少2 μm。
9.根据权利要求1至5中的任一项所述的IC器件，其中，第一互连结构中的第一个互连结构具有第一横向宽度，并且第一互连结构中的第二个互连结构具有大于第一横向宽度的第二横向宽度。
10.根据权利要求9所述的IC器件，其中，第一宽度和第二宽度之差为至少5微米。
11.根据权利要求1至5中的任一项所述的IC器件，其中，第一电介质在第一互连结构的侧壁之间。
12.根据权利要求11所述的IC器件，其中，第一侧壁与第二侧壁之间的距离为至少500纳米。
13.一种系统，其包括：
微处理器；以及
联接到微处理器的存储器，其中，存储器或微处理器中的至少一个包括：
第一集成电路（IC）管芯，其包括第一电介质以及多个相邻的第一互连结构；以及
第二IC管芯，其包括第二电介质以及多个相邻的第二互连结构，其中，第二互连结构中的第一个互连结构与第一互连结构中的第一个互连结构在第一和第二IC管芯之间的结合界面处直接接触，并且其中，第一互连结构中的第二个互连结构缩进成距结合界面的平面一定距离。
14.根据权利要求13所述的系统，其中，微处理器包括第一IC管芯，并且其中，存储器包括第二IC管芯。
15.根据权利要求13所述的系统，其中，第一或第二IC管芯中的至少一个联接到印刷电路板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011015432.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智慧图书馆自动借还书设备
- 下一篇：回拷期间高错误率块的检测和错误处置
- 同类专利
- 专利分类
