[发明专利]嵌入式管芯架构和制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

衬底，具有在x-y方向上延伸的第一和第二相对的大体上平坦的主表面；

桥接管芯，具有在x-y方向上延伸的第三和第四相对的大体上平坦的主表面，其中桥接管芯的第三大体上平坦的主表面与衬底的第二大体上平坦的主表面直接接触；

穿硅通孔，通过衬底的第一大体上平坦的主表面和桥接管芯的第四大体上平坦的主表面在z方向上延伸；

电源，耦合到穿硅通孔；

第一电子组件和第二电子组件，其中的至少一个电子组件电耦合到桥接管芯；以及

包覆模制件，至少部分地包裹第一电子组件、第二电子组件和桥接管芯。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述衬底包括分散在硅内的传导层。

3.根据权利要求1或2中任一个所述的半导体封装，其中所述穿硅通孔包括传导材料。

4.根据权利要求1-3中任一个所述的半导体封装，其中所述第一和第二电子组件独立地包括多管芯组件封装、硅管芯、电阻器、电容器或电感器。

5.根据权利要求1-4中任一个所述的半导体封装，进一步包括附接于衬底的第四主表面以及第一和第二电子组件的多个焊球。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中焊球的平均间距在从大约5µm到大约50µm的范围内。

7.根据权利要求1-6中任一个所述的半导体封装，其中穿硅通孔的高度在从大约10µm到大约50µm的范围内。

8.一种半导体封装，包括：

衬底，具有在x-y方向上延伸的第一和第二相对的大体上平坦的主表面；

桥接管芯，具有在x-y方向上延伸的第三和第四相对的大体上平坦的主表面，其中桥接管芯的第三大体上平坦的主表面与衬底的第二大体上平坦的主表面直接接触；

穿硅通孔，通过衬底的第一大体上平坦的主表面和桥接管芯的第四大体上平坦的主表面在z方向上延伸，所述穿硅通孔具有在从大约1.5:1到大约10:1的范围内的纵横比，并且耦合到与嵌入式管芯的第四主表面相邻的焊球；

电源，耦合到穿硅通孔；

第一电子组件，电耦合到桥接管芯；

第二电子组件，电耦合到桥接管芯；以及

包覆模制件，至少部分地包裹第一电子组件、第二电子组件和桥接管芯。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述衬底包括分散在硅内的传导层。

10.根据权利要求8或9所述的半导体封装，其中所述穿硅通孔包括传导材料。

11.根据权利要求8-10中任一个所述的半导体封装，其中所述第一和第二电子组件独立地包括多管芯组件封装、硅管芯、电阻器、电容器或电感器。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，其中焊球的平均间距在从大约5µm到大约50µm的范围内。

13.根据权利要求8-12中任一个所述的半导体封装，其中所述穿硅通孔在z方向上具有高纵横比。

14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述纵横比在从大约1.5:1到大约10:1的范围内。

15.根据权利要求8-14中任一个所述的半导体封装，其中所述衬底不含空腔。