[发明专利]一种低功耗抗干扰的过温保护电路

权利要求书

1.一种低功耗抗干扰的过温保护电路，其特征在于，包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、施密特触发器、第一反相器、第二反相器和第三反相器，

第五PMOS管的栅极连接与绝对温度成反比的基准电压，其源极连接第六PMOS管的源极和第七PMOS管的漏极，其漏极连接第四NMOS管的栅极和漏极、第五NMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极和第七NMOS管的栅极；

第六PMOS管的栅极连接第九NMOS管的漏极和第十NMOS管的漏极，其漏极连接第五NMOS管的漏极和第八NMOS管的栅极；

第六NMOS管和第七NMOS管的漏极分别连接第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极，其源极均连接第八NMOS管的源极并接地；

第七PMOS管和第八PMOS管的栅极均连接使能信号，其源极均连接偏置电流；

施密特触发器的输入端连接第八PMOS管的漏极和第八NMOS管的漏极，其输出端通过第一反相器后连接第十NMOS管的栅极和第二反相器的输入端；

第三反相器的输入端连接第二反相器的输出端和第九NMOS管的栅极，其输出端作为所述过温保护电路的输出端；

第十NMOS管的源极连接第一参考电压，第九NMOS管的源极连接第二参考电压，所述第一参考电压和所述第二参考电压均与绝对温度成正比，且所述第一参考电压大于所述第二参考电压；

所述过温保护电路通过所述第一参考电压和所述第二参考电压设置温度检测迟滞窗口，通过调整所述基准电压的电压变化斜率、所述第一参考电压的电压变化斜率和所述第二参考电压的电压变化斜率中的任意一个或多个，使得所述温度检测迟滞窗口的迟滞量满足所需设定值；

所述过温保护电路还包括基准电压产生模块，所述基准电压产生模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，其中第一电阻和第二电阻的阻值相等；

第一三极管的基极连接第一电阻的一端、第二电阻的一端和第四电阻的一端并产生所述基准电压，其集电极连接第二三极管的基极、第三三极管的基极和第一电阻的另一端，其发射极连接第二三极管的发射极并通过第三电阻后连接第三三极管的发射极和第四三极管的发射极；

第四三极管的基极连接第二三极管的集电极和第二电阻的另一端，其集电极连接第二NMOS管的源极；

第一NMOS管的栅极连接第四电阻的另一端、第三NMOS管的源极和第二NMOS管的栅极，其源极连接第三三极管的集电极，其漏极连接第三PMOS管的栅极和漏极以及第四PMOS管的栅极；

第四PMOS管的源极连接第二PMOS管的漏极，其漏极连接第三NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极；

第一PMOS管的栅漏短接并连接第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的源极，其源极连接第二PMOS管的源极和第三NMOS管的漏极并连接电源电压；

通过设置所述基准电压产生模块中第一三极管和第二三极管的尺寸比、以及第三电阻和第一电阻的阻值比，能够调整所述基准电压的电压变化斜率；

所述第一参考电压和所述第二参考电压根据外部偏置电流在转换电阻上进行电流-电压转换得到，通过设置所述转换电阻和所述外部偏置电流能够调整所述第一参考电压的电压变化斜率和所述第二参考电压的电压变化斜率。